The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.

Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; et al.

In: Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129

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Highlights: [•] Undoped and Ga doped ZnO thin films were deposited using DEZ and TMGa. [•] Effects of Ga doping using TMGa in Ga doped ZnO were investigated. [•] Degraded properties from excessive doping were analyzed using chemical bondings. [ABSTRACT FROM AUTHOR]

Titel:	The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.
Autor/in / Beteiligte Person:	Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; Kim, Hyungjun
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Zeitschrift:	Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129
Veröffentlichung:	2014
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0169-4332 (print)
DOI:	10.1016/j.apsusc.2014.01.096
Schlagwort:	CHEMICAL vapor deposition ZINC oxide films DOPING agents (Chemistry) GALLIUM CHEMICAL bonds CHEMICAL decomposition CHEMICAL vapor deposition * ZINC oxide films * DOPING agents (Chemistry) * GALLIUM * CHEMICAL bonds *
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Academic Search Index Sprachen: English

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