The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.

Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; et al.

In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160

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Presents information on a study which used secondary ion mass spectroscopy to quantitatively determine the carbon concentration in nominally undoped gallium arsenide (GaAs) grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE). Growth of nominally undoped layers; Information on the MOVPE growth of GaAs; Quantification of the amount of TMG-derived carbon incorporated in nominally undoped MOVPE grown GaAs.

Titel:	The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.
Autor/in / Beteiligte Person:	Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; Beach, D. ; Scilla, G. ; Cardone, F.
Link:	Zum Volltext
Zeitschrift:	Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160
Veröffentlichung:	1991
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0021-8979 (print)
DOI:	10.1063/1.348743
Schlagwort:	GALLIUM arsenide SECONDARY ion mass spectrometry EPITAXY GALLIUM arsenide * SECONDARY ion mass spectrometry *
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Academic Search Index Sprachen: English

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