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    Sensitivity Analysis of HEMT Biosensor for Variation in Alx Ga1-xN Layer Alloy Composition, Bulk Trap and Doping
    Kanrar, Sharmistha Shee ; De, Arpan ; et al.
    In: 2024 IEEE 3rd International Conference on Control, Instrumentation, Energy & Communication (CIEC), 2024-01-25, S. 141-146
    Online Konferenz
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    The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors
    Liu, Y. ; Wang, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017
    Online academicJournal
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    Physics-Based Compact I–V Model for δ-Doped β-(AlxGa1−x)₂O₃/Ga₂O₃ HFET Involving Parallel Conduction
    Patnaik, A. ; Jaiswal, N.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5242-5248
    Online academicJournal
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    Alxinger: Bliomberis. Ein Rittergedicht in zwölf Gesängen. Band 2
    Alxinger
    2018
    Online E-Book
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    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Alxinger: Bliomberis. Ein Rittergedicht in zwölf Gesängen. Band 1
    Alxinger
    2018
    Online E-Book
    Zugriff:
    Zum Volltext
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    ON- and OFF-State Performance of Normally-OFF β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 MODFETs with p-GaN Gate
    Meshram, Ashvinee Deo ; Sengupta, Anumita ; et al.
    In: 2023 IEEE 20th India Council International Conference (INDICON), 2023-12-14, S. 673-678
    Online Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of a Semiconductor Disk Laser with a Wavelength of 780 nm Based on a Heterostructure with Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>x</subscript>As/Al<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1 –</subscript><subscript>y</subscript>As Quantum Wells under Optical Pumping with Different Radiation Wavelengths
    Kozlovskii, V. I. ; Zhenishbekov, S. M. ; et al.
    In: Bulletin of the Lebedev Physics Institute, Jg. 50 (2023-12-01), Heft Suppl 12, S. S1348- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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    Performance Analysis of Normally-Off $\beta-(\text{AlxGa} 1-\mathrm{x})_{2} \mathrm{O}_{3} / \text{Ga}_{2} \mathrm{O}_{3}$ High Electron Mobility Transistor (HEMT) With p-GaN Gate and Addon AlGa2O3 Layer
    Mukherjee, Praskandan ; Kashyap, Nitesh ; et al.
    In: 2023 3rd International Conference on Advancement in Electronics & Communication Engineering (AECE), 2023-11-23, S. 779-784
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    High-Performance 1-V IGZO Thin-Film Transistors Gated With Aqueous and Organic Electrolyte-Anodized AlxOy
    Lin, X. ; Xin, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 537-543
    Online academicJournal
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    Zum Volltext
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    Effective Phonon Dispersion and Low field transport in AlxGa1-xN alloys using supercells: An ab-initio approach
    Datta, Animesh ; Sharma, Ankit ; et al.
    Online report
    Zugriff:
    Zum Datensatz bei Arxiv (Volltext)
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    Suppression of Drain Current Leakage and Short-Channel Effect in Lateral Ga2O3 RF MOSFETs Using (AlxGa1-x)2O3 Back-Barrier
    Ohtsuki, T. ; Kamimura, T. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1829-1832
    Online academicJournal
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    Influence of Highly Efficient Carbon Doping on Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Layers with Different Al Compositions (x) Grown by MOVPE
    Perkitel, Izel ; Kekül, Reyhan ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 6042-6051
    Online academicJournal
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    Permian tectonic switch of the southern Central Asian Orogenic Belt: Constraints from magmatism in the southern Alxa region, NW China
    Erteng, Wang ; Xinwei, Zhai ; et al.
    In: Open Geosciences, Jg. 16 (2024-03-01), Heft 1, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Microstructure Evolution and Microhardness of Al<subscript>x</subscript>Ni<subscript>2−x</subscript>CoCrFe Alloys After Long-Time Annealing
    Wu, Changjun ; Ding, Zhiyan ; et al.
    In: Transactions of the Indian Institute of Metals, 2024-04-16, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Oxidation Behavior of Al<subscript>x</subscript>HfNbTiVY<subscript>0.05</subscript> Refractory High-Entropy Alloys at 700–900 °C
    Muhammad, Fadhli ; Sukhomlinov, Dmitry ; et al.
    In: High Temperature Corrosion of Materials: Formerly Oxidation of Metals, 2024-04-16, S. 1-24
    Online academicJournal
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    Low Resistance Ohmic Contact on Epitaxial MOVPE Grown β-Ga2O3 and β-(AlxGa1−x)2O3 Films
    Alema, F. ; Peterson, C. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1649-1652
    Online academicJournal
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    Design of kV-Class and Low RON E-Mode β-Ga2O3 Current Aperture Vertical Transistors With Delta-Doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 Heterostructure
    Wang, D. ; Mudiyanselage, D.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5795-5802
    Online academicJournal
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    Effects of Substrate Bias Voltage on Structural and Optical Properties of Co-Sputtered (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films
    Gao, Yan ; Dong, Haitao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 52 (2023-11-01), Heft 11, S. 7429-7437
    Online academicJournal
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    Impact of Donor Ionization on 2DEG Charge Density in δ-Doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 HFET: An Analytical Study
    Patnaik, Akash ; Jaiswal, Neeraj K. ; et al.
    In: 2023 IEEE 23rd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2023-07-02, S. 813-816
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Microstructure and properties of AlxCoCrFeNi high entropy alloys fabricated by laser additive manufacturing
    Liying, YU ; Chen, WANG ; et al.
    In: Cailiao gongcheng, Jg. 52 (2024), Heft 1, S. 220-230
    Online academicJournal
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