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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 96, page 41-45 ; ISSN 1369-8001, 2019
    academicJournal
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    Significant k-point selection scheme for computationally efficient band structure based UTB device simulations
    Solanki, Ravi ; Mishra, Nalin Vilochan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 36, issue 11, page 115009 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2021
    academicJournal
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 101, page 362-372 ; ISSN 0749-6036, 2017
    academicJournal
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 31, page 175-183 ; ISSN 1369-8001, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    academicJournal
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 75, page 118-126 ; ISSN 0749-6036, 2014
    academicJournal
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    Study of potential high- k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    Darbandy, Ghader ; Lime, François ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 26, issue 11, page 115002 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2011
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 5, page 545-551 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 143-148 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 137-142 ; ISSN 0038-1101, 2010
    academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 53, issue 5, page 540-547 ; ISSN 0038-1101, 2009
    academicJournal
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    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs
    He, J. ; Bian, W. ; et al.
    In: Molecular Simulation ; volume 34, issue 1, page 63-72 ; ISSN 0892-7022 1029-0435, 2008
    academicJournal
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Zhuge, Jing ; An, Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 23, issue 7, page 075009 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2008
    academicJournal
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 52, issue 12, page 1867-1871 ; ISSN 0038-1101, 2008
    academicJournal
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Ke, Wei ; Han, Xu ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology ; volume 22, issue 5, page 577-583 ; ISSN 0268-1242 1361-6641, 2007
    academicJournal
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 51, issue 4, page 611-616 ; ISSN 0038-1101, 2007
    academicJournal
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