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    Impact of TID Irradiation on Static Noise Margin of 22 nm UTBB FD-SOI 6-T SRAM Cells
    Zheng, Q. ; Cui, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 281-287
    Online academicJournal
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    A 288nV/√Hz low-noise capacitively-coupled instrumentation amplifier (CCIA) in 22-nm UTBB FD-SOI for signal conditioning of MEMS piezoresistive pressure sensors
    Ramones, Adam Jefferson ; Villacorta, Paolo Miguel ; et al.
    In: 2023 20th International SoC Design Conference (ISOCC), 2023-10-25, S. 267-268
    Online Konferenz
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    A high CMRR, high input impedance current-feedback instrumentation amplifier (CFIA) in 22-nm UTBB FD-SOI for signal conditioning of MEMS piezoresistive pressure sensors
    Juruena, Kyla Marie ; Villacorta, Paolo Miguel ; et al.
    In: 2023 20th International SoC Design Conference (ISOCC), 2023-10-25, S. 269-270
    Online Konferenz
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Quantitative identification of significant k-points enabling accurate & computationally efficient UTB MOS device simulation
    Vilochan Mishra, Nalin ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2022 International Semiconductor Conference (CAS), 2022-10-12, S. 247-250
    Online Konferenz
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Standard MOS Diodes Composed by SOI UTBB Transistors
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: 2022 36th Symposium on Microelectronics Technology (SBMICRO), 2022-08-22, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Analysis of Standard-MOS and Ultra-Low-Power Diodes Composed by SOI UTBB Transistors
    Costa, F.J.d. ; Trevisoli, R. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 11 (2023), S. 634-641
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    UTBB FD-SOI Variability Characterization Using Programmable Transistor Arrays
    Mahmoud, M. Mounir ; Prinzie, J. ; et al.
    In: 2023 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2023-07-24, S. 1-7
    Online Konferenz
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Ultra-Low-Power Diodes Composed by SOI UTBB Transistors
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: 2022 IEEE Latin American Electron Devices Conference (LAEDC), 2022-07-04, S. 1-4
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    SOI UTBB Capacitive Cross-Coupling Effects in Ultimate Technological Nodes
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: 2022 IEEE 13th Latin America Symposium on Circuits and System (LASCAS), 2022-03-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Investigation of Self-Heating Effects in UTBB FD-SOI MOSFETs by a Modified Thermal Conductivity Model
    Xing, Q. ; Su, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4129-4137
    Online academicJournal
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    Performance Analysis of UTB and Nanowire Tunnel FET by varying various Device Intrinsic Parameters
    Joshi, Romil ; Shaherawala, Prutha ; et al.
    In: 2021 Second International Conference on Electronics and Sustainable Communication Systems (ICESC), 2021-08-04, S. 522-529
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of the Backgate on the Performance of SOI UTBB nMOSFETs at Cryogenic Temperatures
    Han, Yi ; Xi, Fengben ; et al.
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The effects of surface passivation on the electrostatics of the UTB SOI devices
    Solanki, Ravi ; Medury, Aditya Sankar
    In: 2021 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EuroSOI-ULIS), 2021-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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    Ultra-Low-Voltage UTBB-SOI-Based, Pseudo-Static Storage Circuits for Cryogenic CMOS Applications
    Nibhanupudi, S.S.T. ; Sundara Raman, S.R. ; et al.
    In: IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Jg. 7 (2021-12-01), Heft 2, S. 201-208
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    Nanoribbon charge-based biosensor using gateless UTBB BESOI pMOSFET
    Sasaki, K. R. A. ; Range, R. C. ; et al.
    In: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Bias Dependence of Total Ionizing Dose Response in UTBB FD-SOI Transistors
    Zhang, R. ; Zheng, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 2314-2323
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Layout-Induced Strain Study for RF Performance Improvement of 22-nm UTBB FDSOI PFET
    Sloyan, K. ; Ravaux, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-07-01), Heft 7, S. 3230-3237
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Thermal Cross-Coupling Effects Analysis in UTBB Transistors
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2020-09-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Anneal Behavior of Total Ionizing Dose Irradiated UTBB FD-SOI n-MOSFETs Activated by Hot Carrier Stress
    Zheng, Q. ; Cui, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 70 (2023), Heft 1, S. 37-43
    Online academicJournal
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