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    Use of spectral decomposition in identifying stratigraphic baffles below seismic resolution; A case study of UTB field, offshore Niger Delta
    Durogbitan, Abimbola ; Simon, Eyogwe ; et al.
    In: Journal of Applied Geophysics, Jg. 217 (2023-10-01)
    Online academicJournal
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    TLP/VFTLP investigation on eNVM 1T1R PCM in FD-SOI UTBB CMOS technology at room temperature
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 148 (2023-09-01)
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Impact of thermal coupling effects on the digital and analog figures of merit of UTBB SOI MOSFET pairs
    Vanbrabant, Martin ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 202 (2023-04-01)
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Cryogenic characteristics of UTBB SOI Schottky-Barrier MOSFETs
    Han, Yi ; Sun, Jingxuan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01)
    Online academicJournal
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    Cross-coupling effects in common-source current mirrors composed by UTBB transistors
    José da Costa, Fernando ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01)
    Online academicJournal
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    Characterization of fully silicided source/drain SOI UTBB nMOSFETs at cryogenic temperatures
    Han, Yi ; Xi, Fengben ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 192 (2022-06-01)
    Online academicJournal
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    Thermal cross-coupling effects in side-by-side UTBB-FDSOI transistors
    Costa, Fernando J. ; Trevisoli, Renan ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 185 (2021-11-01)
    Online academicJournal
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    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    Online academicJournal
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    In-situ heater for thermal assist recovery of MOS devices in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Galy, P. ; Lethiecq, R. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01)
    Online academicJournal
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    Hafnia and alumina stacks as UTBOXs in silicon-on insulator
    Popov, V.P. ; Antonov, V.A. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01)
    Online academicJournal
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    Performance-aware predictive-model-based on-chip body-bias regulation strategy for an ULP multi-core cluster in 28 nm UTBB FD-SOI
    Di Mauro, Alfio ; Rossi, Davide ; et al.
    In: Integration, Jg. 72 (2020-05-01), S. 194-207
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: Internet Interventions, Jg. 18 (2019-12-01)
    Online academicJournal
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    SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell
    Cai, C. ; Zhao, P.X. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 100-101 (2019-09-01)
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Intermittency-induced criticality in the random telegraph noise of nanoscale UTBB FD-SOI MOSFETs
    Contoyiannis, Y. ; Potirakis, S.M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 216 (2019-08-15)
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Mobility extraction for short channel UTBB-FDSOI MOSFETs under back bias using an accurate inversion charge density model
    Trojman, L. ; Ragnarsson, L. Å. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 24-30
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimal asymmetrical back plane biasing for energy efficient digital circuits in 28 nm UTBB FD-SOI
    Veirano, Francisco ; Naviner, Lirida ; et al.
    In: Integration, Jg. 65 (2019-03-01), S. 211-218
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of New Multi-Column 5,5:4 Compressor Circuit Based on Double-Gate UTBSOI Transistors
    Ahmed, Rekib Uddin ; Thabah, Sheba Diamond ; et al.
    In: Procedia Computer Science, Jg. 165 (2019), S. 532-540
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Common source power amplifier design for 5G application in 28-nm UTBB FD-SOI technology
    Mohsen, Ali ; Ayoub, Mohammad Jaafar ; et al.
    In: AEUE - International Journal of Electronics and Communications, Jg. 96 (2018-11-01), S. 273-278
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Olivera, Fabián ; Petraglia, Antonio
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 94-100
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Japanese normative data for the Unhelpful Thoughts and Beliefs about Stuttering (UTBAS) Scales for adults who stutter
    Chu, Shin Ying ; Sakai, Naomi ; et al.
    In: Journal of Fluency Disorders, Jg. 51 (2017-03-01), S. 1-7
    Online academicJournal
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