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92 Treffer

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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN.
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 468 (2017-06-15), S. 950-953
    Online academicJournal
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition.
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 452 (2016-10-15), S. 226-229
    Online academicJournal
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa.
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 434 (2016-01-15), S. 116-122
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N<subscript>2</subscript>/H<subscript>2</subscript> excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power.
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 391 (2014-04-01), S. 97-103
    Online academicJournal
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 62 (2011-08-01), Heft 1, S. 142-145
    Online academicJournal
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    LP-MOCVD growth of ternary B <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> As epilayers on (001)GaAs substrates using TEB, TMGa and AsH<subscript>3</subscript>
    Wang, Qi ; Ren, Xiaomin ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-12-01), Heft 12, S. 1678-1682
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    Adsorption mechanism of dimeric Ga precursors in metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride.
    Kim, Hankyu ; Kim, Miso ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-12-01), Heft 6, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Influences of group-III source preflow on the polarity, optical, and structural properties of GaN grown on nitridated sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition.
    Li, Chengguo ; Liu, Hongfei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-28), Heft 12, S. 125305-1- (5S.)
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Effect of growth conditions on the Al composition and optical properties of AlxGa1 −xN layers grown by atmospheric-pressure metal organic vapor phase epitaxy.
    Soltani, S. ; Bouzidi, M. ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 630 (2017-05-30), S. 2-6
    Online academicJournal
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    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Site-controlled InGaAs/GaAs pyramidal quantum dots grown by MOVPE on patterned substrates using triethylgallium.
    Rigal, B. ; Jarlov, C. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 187-191
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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