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    The influence of temperature and TMGa flow rate on the quality of p -GaN
    Cao, Zikun ; Wang, Xiaowei ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 11, issue 3 ; ISSN 2158-3226, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A two-dimensional analytical modeling for channel potential and threshold voltage of short channel triple material symmetrical gate Stack (TMGS) DG-MOSFET
    Tripathi, Shweta
    In: Chinese Physics B ; volume 25, issue 10, page 108503 ; ISSN 1674-1056, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa3 and TmGa3
    Pluzhnikov, V. B. ; Grechnev, G. E. ; et al.
    In: Low Temperature Physics ; volume 31, issue 3, page 313-320 ; ISSN 1063-777X 1090-6517, 2005
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 256, issue 22, page 6694-6698 ; ISSN 0169-4332, 2010
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Reaction Pathways of GaN Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy Using TMGa/NH 3 /H 2 System: A Computational Fluid Dynamics Simulation Study
    Hirako, Akira ; Kusakabe, Kazuhide ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 44, issue 2R, page 874 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa3 (TM=Fe, Ru, and Os)
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics ; volume 96, issue 10, page 5644-5648 ; ISSN 0021-8979 1089-7550, 2004
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH3
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 252, issue 10, page 3454-3459 ; ISSN 0169-4332, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fermi Surface and Magnetic Structure of TmGa 3
    Biasini, M. ; Kontrym-Sznajd, G. ; et al.
    In: Physical Review Letters ; volume 86, issue 20, page 4616-4619 ; ISSN 0031-9007 1079-7114, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)
    Abril, Evaristo José ; Alonso, Alonso ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 31, issue 6R, page 1721 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Mass Spectrometric Study of the Decomposition of Trimethylgallium (TMGa) with Trimethylarsine (TMAs)
    Masataka Hoshino, Masataka Hoshino
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 31, issue 4R, page 984 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 82-83, page 263-268 ; ISSN 0169-4332, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    On the Reaction Mechanism of the Pyrolyses of TMG and TEG in MOCVD Growth Reactors
    Tsuda, Minoru ; Oikawa, Setsuko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 26, issue 5A, page L564 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 1987
    academicJournal
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    High-speed growth of thick high-purity β-Ga 2 O 3 layers by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
    Yoshinaga, Junya ; Tozato, Haruka ; et al.
    In: Applied Physics Express ; volume 16, issue 9, page 095504 ; ISSN 1882-0778 1882-0786, 2023
    academicJournal
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    Study of Ga 2 O 3 deposition by MOCVD
    Lundin, W V ; Rodin, S N ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 2103, issue 1, page 012092 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2021
    academicJournal
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    Kosterlitz-Thouless melting of magnetic order in the triangular quantum Ising material TmMgGaO4
    Li, Han ; Liao, Yuan Da ; et al.
    In: Nature Communications ; volume 11, issue 1 ; ISSN 2041-1723, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Comparison of trimethylgallium decomposition models for epitaxy growth analysis in MOVPE reactors
    Niedzielski, Przemyslaw
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 1534, issue 1, page 012005 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2020
    academicJournal
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    Gas-phase study of the behavior of trimethyl gallium and triethyl gallium by optical emission spectroscopy and quadrupole mass spectroscopy for the growth of GaN by REMOCVD (radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition)
    Dhasiyan, Arun Kumar ; Jayaprasad, Swathy ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics ; volume 62, issue SN, page SN1019 ; ISSN 0021-4922 1347-4065, 2023
    academicJournal
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    Effect of DHA Supplementation on The MDA and SOD Levels in Protein Malnourished Rats
    Sanyoto, D D ; Asnawati, A ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series ; volume 1374, issue 1, page 012036 ; ISSN 1742-6588 1742-6596, 2019
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Surface structure of MgO underlayer with Ti diffusion for (002) oriented L 1 FePt-based heat assisted magnetic recording media
    Hinata, Sintaro ; Jo, Shin ; et al.
    In: AIP Advances ; volume 8, issue 5 ; ISSN 2158-3226, 2018
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Generation of isolated attosecond pulses with enhancement cavities—a theoretical study
    Högner, M ; Tosa, V ; et al.
    In: New Journal of Physics ; volume 19, issue 3, page 033040 ; ISSN 1367-2630, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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