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86 Treffer

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    Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature
    Wang, En ; Ping ; et al.
    In: Chinese Science Bulletin, Jg. 58 (2013-10-01), Heft 30, S. 3617-3623
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    GaN-MOVPE 气相自由基反应的量子化学研究. (Chinese)
    刘国峰 ; 左然
    In: Journal of Synthetic Crystals, Jg. 50 (2021-03-01), Heft 3, S. 469-476
    Online academicJournal
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    Residual impurities in GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Ishibashi, Akihiko ; Takeishi, Hidemi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 799-803
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Molecular Orbital Calculations for the Formation of GaN Layers on Ultra-thin AlN/6H-SiC Surface Using Alternating Pulsative Supply of
    Gaseous Trimethyl Gallium (tmg ; Seong, Seeyearl ; et al.
    In: http://pdf.easechem.com/pdf/32/001ae4d6-e16c-481b-acf3-716aae4cdf51.pdf, 2000
    Online academicJournal
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    以三甲基鎵/第三丁基聯胺之有機金屬化學氣相沉積系統合成直列式氮化鎵奈米線之研究 ; Synthesis of vertically-aligned GaN nanorods using TMGa/TBHy MOCVD system
    黃珮珊
    2009
    Hochschulschrift
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    Effect of structural defects and chemical impurities on hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN
    Hwang, C. Y. ; Schurman, M. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-03-01), Heft 3, S. 243-251
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    以第三丁基聯胺/三甲基鎵有機金屬化學氣相沉積系統在不同基材上成長氮化鎵一維奈米線之研究 ; Synthesis of GaN Nanowires on Different Substrates by TMGa-TBHy MOCVD System
    曾士恩
    2008
    Hochschulschrift
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers.
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials (1996-1944), Jg. 15 (2022-10-01), Heft 19, S. 6916-6928
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED.
    Kim, Dohyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 10 (2020-02-15), Heft 4, S. 1514-1523
    Online academicJournal
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, Ali ; Kizir, Seda ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2016-04-01, S. 132-134
    Online Konferenz
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    利用計算流體力學模擬氮化鎵2維/3維 之金屬有機化學氣相沉積產物 ; 2D/3D CFD Simulation of Metal Oxide Chemical Vapor Deposition (MOCVD) of GaN
    陳瑞祥 ; Chen, Ruei-Shiang ; et al.
    2010
    Online Hochschulschrift
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    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Hospodková, Alice ; Čížek, Jakub ; et al.
    In: Materials; Volume 15; Issue 19; Pages: 6916, 2022
    academicJournal
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