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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 146-150
    Online academicJournal
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    A study of parasitic reactions between NH<subscript>3</subscript> and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online academicJournal
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI<subscript>4</subscript>-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-08-01), Heft 8, S. 791-799
    Online academicJournal
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    A study of the OMVPE growth mechanisms using internal reflectance spectroscopy to examine adsorption of TMGa and NH<subscript>3</subscript> and surface reactions between them
    Tripathi, A. ; Mazzarese, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989), Heft 1, S. 45-51
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Glew, Richard ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-01-07), Heft 1, S. 146-150
    Online serialPeriodical
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    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI<subscript>4</subscript>-doped inGaAs
    Stockman, S. ; Hanson, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-08-06), Heft 8, S. 791-799
    Online serialPeriodical
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A study of parasitic reactions between NH3and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), Heft 6, S. 1004-1008
    Online serialPeriodical
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    Residual impurities in GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> grown by metalorganic vapor phase epitaxy
    Ishibashi, Akihiko ; Takeishi, Hidemi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), Heft 5, S. 799-803
    Online academicJournal
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    A comparative study of selective carbon doping in MOCVD GaAs using trimethylarsenic and arsine
    Moon, Hyukju J. ; Stoebe, Thomas G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1351-1355
    Online academicJournal
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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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    Effect of structural defects and chemical impurities on hall mobilities in low pressure MOCVD grown GaN
    Hwang, C. Y. ; Schurman, M. J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-03-01), Heft 3, S. 243-251
    Online academicJournal
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    In situ FTIR and surface analysis of the reaction of trimethylgallium and ammonia
    Mazzarese, D. ; Tripathi, A. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), Heft 3, S. 369-377
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Optimization of the Epitaxial Growth of Undoped GaN Waveguides in GaN-Based Laser Diodes Evaluated by Photoluminescence.
    Netzel, C. ; Hoffmann, V. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-09-01), Heft 9, S. 5138-5143
    Online academicJournal
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    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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    Growth study of AlGaAs using dimethylethylamine alane as the aluminum precursor.
    Hou, H. ; Breiland, W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1178-1183
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Trisneopentylgallium as a precursor for atomic layer epitaxy of GaAs.
    Yeo, P. ; Arès, R. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 26 (1997-10-01), Heft 10, S. 1174-1177
    Online academicJournal
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    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition.
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
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    Growth of GaAs by vacuum atomic layer epitaxy using tertiarybutylarsine.
    Jow, Ming ; Maa, Bang ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995), Heft 1, S. 25-29
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Adjusting trimethylgallium injection time to explore atomic layer epitaxy of GaAs between 425 and 500°C by organometallic vapor phase epitaxy.
    Wang, C. ; Tracy, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 23 (1994-02-01), Heft 2, S. 185-189
    Online academicJournal
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