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    The role of carbon and C-H neutralization in MOCVD β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> using TMGa as precursor.
    Meng, Lingyu ; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 122 (2023-06-05), Heft 23, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Flexible fast responding solar-blind photodetectors based on (TmGa)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> films grown on mica.
    Qu, Qiulin ; Liu, Qi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 120 (2022-03-21), Heft 12, S. 1-7
    Online academicJournal
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    TMGa/TEGa interactions in metalorganic molecular beam epitaxy.
    Kamp, M. ; Morsch, G.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 66 (1995-01-16), Heft 3, S. 367-369
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    MOCVD growth of high purity Ga2O3 epitaxial films using trimethylgallium precursor.
    Seryogin, George ; Alema, Fikadu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-12-28), Heft 26, S. 1-6
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    Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products.
    Sukegawa, Hiroaki ; Inomata, Koichiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-01), Heft 9, S. 1-5
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    Suppression of in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance effect in Co<subscript>2</subscript>MnSi/MgO/n-GaAs and CoFe/MgO/n-GaAs junctions by inserting a MgO barrier.
    Akiho, Takafumi ; Uemura, Tetsuya ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-06-06), Heft 23, S. 232109-232111
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    Temperature dependence of resistance in epitaxial Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions.
    Ma, Q. L. ; Wang, S. G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 95 (2009-08-03), Heft 5, S. 52506-52508
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    Detection of the valence band in buried Co<subscript>2</subscript>MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy.
    Fecher, Gerhard H. ; Balke, Benjamin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 92 (2008-05-12), Heft 19, S. 193512-193514
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    Oscillation of giant tunneling magnetoresistance with respect to tunneling barrier thickness in fully epitaxial Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions.
    Matsumoto, Rie ; Fukushima, Akio ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 90 (2007-06-18), Heft 25, S. 252506-252508
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    175% tunnel magnetoresistance at room temperature and high thermal stability using Co<subscript>2</subscript>FeAl<subscript>0.5</subscript>Si<subscript>0.5</subscript> full-Heusler alloy electrodes.
    Tezuka, N. ; Ikeda, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-12-18), Heft 25, S. 252508-252510
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    Characterization of growth and crystallization processes in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction structure by reflective high-energy electron diffraction.
    Yuasa, Shinji ; Suzuki, Yoshishige ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-12-12), Heft 24, S. 242503-242505
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    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
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    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
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    Decomposition of trimethylgallium on the gallium-rich GaAs (100) surface: Implications for atomic layer epitaxy.
    Creighton, J. Randall ; Lykke, Keith R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 57 (1990-07-16), Heft 3, S. 279-281
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    Atomic layer epitaxy of GaP and elucidation for self-limiting mechanism.
    Sakuma, Y. ; Kodama, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 56 (1990-02-26), Heft 9, S. 827-829
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