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    Lipoxin-mediated signaling: ALX/FPR2 interaction and beyond
    Sánchez-García, Sergio ; Jaén, Rafael I. ; et al.
    In: Pharmacological Research, Jg. 197 (2023-11-01), Heft 106982-
    Online academicJournal
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    Transverse effective charge, energy band structure and optical properties of nanostructured Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>P<subscript>y</subscript>Sb<subscript>z</subscript>As<subscript>1-y-z</subscript> alloy for the solar cells system
    Alyami, Mohammed ; Alfrnwani, O A ; et al.
    In: Pramana: Published by the Indian Academy of Sciences, Jg. 97 (2023-12-01), Heft 4
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    Geochemistry and zircon U–Pb–Hf isotopes of granodiorites in the northern Alxa area: implications for the Middle–Late Devonian tectonic evolution of the southern Central Asian Orogenic Belt
    Deng, Wenbing ; Shao, Zhaogang ; et al.
    In: International Journal of Earth Sciences: GR Geologische Rundschau, Jg. 111 (2022-10-01), Heft 7, S. 2369-2390
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of α-(AlxGa1−x)2O3 by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h
    Steele, Jacob ; Azizie, Kathy ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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    Crystallographic and band structure analysis of β-(AlxGa1−x)2O3/β-(InyGa1−y)2O3 thin film grown on β-Ga2O3 substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4
    Online academicJournal
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for AlxGa1−xN/GaN HEMT
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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    Simulation Research on Single Event Burnout Performances of p-GaN Gate HEMTs With 2DEG AlxGa1-xN Channel
    Liu, S. ; Zhang, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 973-980
    Online academicJournal
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    A design and comparative investigation of graded Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 − x</subscript> N QB for W-Al<subscript>0.58</subscript>GaN/W-Al<subscript>0.64–0.58</subscript> GaN DUV laser diode on AlN substrate
    Rehman, Hameed Ur ; Rahman, Naveed Ur ; et al.
    In: The European Physical Journal D: Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics, Jg. 78 (2024-02-01), Heft 2
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    serialPeriodical
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    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
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    New Magnetotelluric Data Reveal Deep Fault Boundaries and Contrasting Late Cenozoic Fault Kinematics Between the Qilian Shan Thrust Wedge and Beishan‐Alxa Block, Western China
    Yang, Haibo ; Sun, Xiangyu ; et al.
    In: Geophysical Research Letters, Jg. 51 (2024-03-01), Heft 5
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    Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
    Chang Wan Ahn ; Kyoung Su Lee ; et al.
    In: Journal of Materials Research and Technology, Jg. 22 (2023), Heft 938-946, S. 938-946
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