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    Effect of Al content on the corrosion behavior and mechanism of AlxCoCrFeNi high-entropy alloys
    Wang, Yi ; Li, Guanglong ; et al.
    In: Journal of Materials Research and Technology, Jg. 30 (2024-05-01), Heft 1, S. 5977-5989
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    Dual wire arc additive manufacturing of compositionally graded Alx-Co-Cr-Fe-Ni high-entropy alloy
    Lu, Haojie ; Shen, Qingkai ; et al.
    In: Journal of Materials Research and Technology, Jg. 29 (2024-03-01), Heft 1, S. 4052-4062
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    The Impacts of Different Electrode Structures on the Device Performance of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O3/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Heterostructure Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors
    Liu, Yan ; Wang, Ping ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-02-01), Heft 2, S. 1010-1017
    Online serialPeriodical
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study on preparation process and emission performance of AlxGa1-xAs/GaAs photocathodes with distributed Bragg reflector
    Zhou, Yan ; Zhang, Qiang ; et al.
    In: Proceedings of SPIE, Jg. 13155 (2024-04-30), Heft 1, S. 131550A- (1183958S.)
    serialPeriodical
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    Microstructure Evolution and Tensile Properties of the Alx(CoCrNi)100-xMedium-Entropy Alloys
    Zou, Ji-Peng ; Luo, Xue-Mei ; et al.
    In: Acta Metallurgica Sinica (English Letters), Jg. 36 (2023-12-01), Heft 12, S. 2045-2057
    Online serialPeriodical
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Suppression of Drain Current Leakage and Short-Channel Effect in Lateral Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> RF MOSFETs Using (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Back-Barrier
    Ohtsuki, Takumi ; Kamimura, Takafumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 44 (2023-11-01), Heft 11, S. 1829-1832
    Online serialPeriodical
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    Physics-Based Compact I–V Model for δ-Doped β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)₂O₃/Ga₂O₃ HFET Involving Parallel Conduction
    Patnaik, Akash ; Jaiswal, Neeraj K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 5242-5248
    Online serialPeriodical
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    Multiperiodic Spin Precession of the Optically Induced Spin Polarization in AlxGa1-xAs/AlAsSingle Quantum Well
    Ullah, S. ; Gusev, G. M. ; et al.
    In: Iranian Journal of Science and Technology, 2024, Heft Preprints, S. 1-7
    serialPeriodical
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    Design of kV-Class and Low R<subscript>ON</subscript> E-Mode β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Current Aperture Vertical Transistors With Delta-Doped β-(AlxGa<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Heterostructure
    Wang, Dawei ; Mudiyanselage, Dinusha Herath ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-11-01), Heft 11, S. 5795-5802
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Microstructural, thermomechanical and tribological behavior of refractory high-entropy AlxCr0.25Nb0.5Ta0.5Ti1.5(x = 0.5, 1) alloys
    Hakeem, Abbas Saeed ; Adesina, Akeem Yusuf ; et al.
    In: Journal of Materials Research and Technology, Jg. 26 (2023-09-01), Heft 1, S. 2394-2406
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    Effects of Al on Structure Evolution and Mechanical Performance of AlxCrFeNi (x> 1) Eutectic High-Entropy Alloys
    Wang, Mingze ; Lu, Guangyao ; et al.
    In: Transactions of the Indian Institute of Metals, Jg. 76 (2023-04-01), Heft 4, S. 1045-1051
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of Al addition on microstructures and mechanical properties of AlxCrFeNi2.5Mo high entropy alloys
    Liu, Jia ; Zhang, Jing ; et al.
    In: MRS Communications, Jg. 13 (2023-06-01), Heft 3, S. 425-430
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-Performance 1-V IGZO Thin-Film Transistors Gated With Aqueous and Organic Electrolyte-Anodized Al<subscript>x</subscript>O<subscript>y</subscript>
    Lin, Xiaoyu ; Xin, Qian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 537-543
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Performance Analysis of SOI-Tunnel FET with AlxGa1-xAs Channel Material
    Chander, Sweta ; Sinha, Sanjeet Kumar
    In: Micro and Nanosystems, Jg. 15 (2023), Heft 3, S. 185-188
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    A study of microstructural evolution in gas tungsten arc welded AlxCoCrFeNi high entropy alloys
    Sourav, Ayush ; Gowtam, D. S. ; et al.
    In: Welding in the World, 2023, Heft Preprints, S. 1-12
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    Effect of oxygen on the crystallinity and defect state of AlxGa1−xN epilayers
    Ahn, Chang Wan ; Lee, Kyoung Su ; et al.
    In: Journal of Materials Research and Technology, Jg. 22 (2023), Heft 1, S. 938-946
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Bandgap Engineering of Al<subscript>x</subscript>Zn<subscript>1-x</subscript>O Deposited by Mist Chemical Vapor Deposition for Photodetector Applications: From UV-A to UV-C
    Liu, Han-Yin ; Huang, Zhen-Yuan
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-12-01), Heft 12, S. 6843-6850
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    Normally-Off β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Modulation-Doped Field-Effect Transistors With p-GaN Gate: Proposal and Investigation
    Meshram, Ashvinee Deo ; Sengupta, Anumita ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-02-01), Heft 2, S. 454-460
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    ALX links CD47 drug to improved response rate in solid tumors, plots path into phase 3.
    Taylor, Nick Paul
    In: FierceBiotech, 2023-10-03, S. N.PAG
    Online serialPeriodical
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