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    Electron mobility modulated by optical phonons in AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN/AlN heterostructures
    Chai, Y.J. ; Zan, Y.H. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 151 (2021-03-01)
    Online academicJournal
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    High-efficient ultraviolet (UV) photocathode using optimum radial shaped AlxGa1-xN nanostructure with assisted external electric field
    Lv, Zhisheng ; Liu, Lei ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 150 (2021-02-01)
    Online academicJournal
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    Comprehensive study on the optical properties of graded Al component AlxGA1-xn nanostructures for UV photocathode
    Lv, Zhisheng ; Liu, Lei ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 147 (2020-11-01)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Enhancement of the optoelectronic characteristics of deep ultraviolet nanowire laser diodes by induction of bulk polarization charge with graded AlN composition in AlxGa1-xN waveguide
    Nawaz, Sharif Muhammad ; Niass, Mussaab Ibrahim ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 145 (2020-09-01)
    Online academicJournal
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    Microstructure and temperature-dependence of Raman scattering properties of β-(AlxGa1-x)2O3 crystals
    Chen, Xian ; Niu, Wenlong ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 140 (2020-04-01)
    Online academicJournal
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    First-principles investigation of ternary two-dimensional (2D) AlxB1-x N monolayer alloys
    Chabane Chaouche, Abdallah ; Lachebi, Abdelhadi ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 130 (2019-06-01), S. 249-257
    Online academicJournal
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    Interface intermixing and interdiffusion characteristics in MOVPE grown spontaneous AlxGa1-xAs/GaAs (100) superlattice structures using high resolution X-ray diffraction
    Pradhan, A. ; Mukherjee, S. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 126 (2019-02-01), S. 193-199
    Online academicJournal
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    Temperature and pressure modulation on intersubband optical absorption in an AlxGa1-xN/AlN core-shell nanowire
    Ha, S.H. ; Liu, H.Q. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 123 (2018-11-01), S. 183-188
    Online academicJournal
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    AlxGa1-xN -GaN core-shell nanorods: Synthesis and field emission properties
    Chen, Fei ; Wang, Ting ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 120 (2018-08-01), S. 272-278
    Online academicJournal
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    Nonlinear optical susceptibilities in the diffusion modified AlxGa1–xN/GaN single quantum well
    Das, T. ; Panda, S. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 117 (2018-05-01), S. 105-114
    Online academicJournal
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    Optical properties of (AlxGa1-x)2O3 on sapphire
    Hu, Zhuangzhuang ; Feng, Qian ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 114 (2018-02-01), S. 82-88
    Online academicJournal
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    On the AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN (x>y) p-electron blocking layer to improve the hole injection for AlGaN based deep ultraviolet light-emitting diodes
    Chu, Chunshuang ; Tian, Kangkai ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 113 (2018), S. 472-477
    Online academicJournal
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    The activation energy for Mg acceptor in AlxGa1-xN alloys in the whole composition range
    Zhao, Chuan-Zhen ; Wei, Tong ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 109 (2017-09-01), S. 758-762
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Acoustic phonon modes in asymmetric AlxGa1−xN/GaN/AlyGa1−yN quantum wells
    Zan, Y.H. ; Ban, S.L. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 102 (2017-02-01), S. 64-73
    Online academicJournal
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    Structural and optical properties of AlxGa1−xN (0.33 ≤ x ≤ 0.79) layers on high-temperature AlN interlayer grown by metal organic chemical vapor deposition
    Xu, Qingjun ; Liu, Bin ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 144-151
    Online academicJournal
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    Electron transport in AlxGa1−xAs δ-MIGFETs: Conductivity enhancement induced by magnetic field effects
    Oubram, O. ; Rodríguez-Vargas, I. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 100 (2016-12-01), S. 867-875
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Self-consistent vertical transport calculations in AlxGa1–xN/GaN based resonant tunneling diode
    Rached, A. ; Bhouri, A. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 91 (2016-03-01), S. 37-50
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    The origin for the formation of Al–N clusters in the Ga-rich dilute nitride AlxGa1−xNyX1−y (X = As, or P) alloys
    Zhao, Chuan-zhen ; Wei, Tong ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 409-415
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Comparative study on performance of cubic AlxGa1−xN/GaN nanostructures MODFETs and MOS-MODFETs
    Bouguenna, Driss ; Boudghene Stambouli, A. ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 62 (2013-10-01), S. 260-268
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Achievement of tailored laser frequencies by fine-tuning the structural parameters of Fibonacci’s in AlxGa1−xAs/GaAs superlattices
    Sefir, Yamina ; Aziz, Zoubir ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 62 (2013-10-01), S. 233-241
    Online academicJournal
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