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    The effect of Fe<subscript>Ga</subscript> (0/–) level presence on material properties in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N layers.
    Sun, L. ; Kruszewski, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 135 (2024-05-07), Heft 17, S. 1-7
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    Atomic and electronic origin of robust off-state insulation properties in Al-rich Al<subscript>x</subscript>Te<subscript>y</subscript> glass for ovonic threshold switching applications.
    Li, Xiao-Dong ; Tian, Maoan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-28), Heft 20, S. 1-9
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    激光增材制造 Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi高熵 合金的组织与性能. (Chinese)
    于丽莹 ; 晨, 王 ; et al.
    In: Journal of Materials Engineering / Cailiao Gongcheng, Jg. 52 (2024), Heft 1, S. 220-230
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    Al和 Ti含量对激光熔炼 AlxNbTiyV 轻质高熵合金组织与性能的影响. (Chinese)
    李子兴 ; 朱言言 ; et al.
    In: Journal of Materials Engineering / Cailiao Gongcheng, Jg. 52 (2024), Heft 1, S. 137-145
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    Ab initio study of effects of Al on the defect behaviors of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys.
    Shu, Yue ; Wang, Rui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 133 (2023-06-07), Heft 21, S. 1-12
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    高温热处理对 Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi（0. 5≤ x≤0. 8）高熵合金微观组织及 力学性能的影响. (Chinese)
    曹雷刚 ; 帆, 王 ; et al.
    In: Journal of Materials Engineering / Cailiao Gongcheng, Jg. 52 (2024), Heft 1, S. 249-258
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    (AlxGa<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> 结构、电子和光学性质的 第一性原理研究. (Chinese)
    妍, 高 ; 董海涛 ; et al.
    In: Journal of Synthetic Crystals, Jg. 52 (2023-09-01), Heft 9, S. 1674-1681
    Online academicJournal
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    Reduced temperature in lateral (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−</subscript><subscript>x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> heterojunction field effect transistor capped with nanocrystalline diamond.
    Masten, Hannah N. ; Lundh, James Spencer ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-04-08), Heft 15, S. 1-7
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    Crystallographic and band structure analysis of β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/β-(In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−y</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin film grown on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> substrate via mist CVD
    Kaneko, Masahiro ; Nishinaka, Hiroyuki ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-6
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    Epitaxial growth of α-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by suboxide molecular-beam epitaxy at 1 µm/h.
    Steele, Jacob ; Azizie, Kathy ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 12 (2024-04-01), Heft 4, S. 1-12
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    New Magnetotelluric Data Reveal Deep Fault Boundaries and Contrasting Late Cenozoic Fault Kinematics Between the Qilian Shan Thrust Wedge and Beishan‐Alxa Block, Western China.
    Yang, Haibo ; Sun, Xiangyu ; et al.
    In: Geophysical Research Letters, Jg. 51 (2024-03-16), Heft 5, S. 1-11
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    Investigation of the surface band structure and the evolution of defects in β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>.
    Li, J. ; Chen, X. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024-03-11), Heft 11, S. 1-6
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    Physics-based modeling and characterization of low frequency noise behavior for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN HEMT.
    Cai, Jing ; Yao, Ruo-He ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 14 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-7
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    Room temperature two-dimensional electron gas scattering time, effective mass, and mobility parameters in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures (0.07 ≤ x ≤ 0.42).
    Knight, Sean ; Richter, Steffen ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-11-14), Heft 18, S. 1-12
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    Insight into microstructure evolution on anti-corrosion property of Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNiC<subscript>0.01</subscript> high-entropy alloys using scanning vibration electrode technique.
    Liao, Bo-Kai ; Liang, Zhan-Xiang ; et al.
    In: Rare Metals, Jg. 42 (2023-10-01), Heft 10, S. 3455-3467
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    Paleoproterozoic ultrahigh‐temperature mafic granulites with a high‐pressure prograde path from the Alxa Block: Implications on the tectonic evolution of the Khondalite Belt, North China Craton.
    Zou, Lei ; Guo, Jing‐Hui ; et al.
    In: Journal of Metamorphic Geology, Jg. 42 (2024-05-01), Heft 4, S. 551-581
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Bandgap engineering and Schottky barrier modulation of ultra-wide bandgap Si-doped β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> single crystals.
    Liu, Yiyuan ; He, Qiming ; et al.
    In: Journal of Materials Chemistry C, Jg. 12 (2024-04-21), Heft 15, S. 5631-5638
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    Effect of aluminum substitution on physical–chemical properties of novel iron-sillenite Bi<subscript>25</subscript>Fe<subscript>(1−x)</subscript>Al<subscript>x</subscript>O<subscript>40</subscript> (x = 0.00, 0.20, 0.50).
    Jebari, H. ; Boudad, L. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 130 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-15
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    In situ MOCVD growth and band offsets of Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> dielectric on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> and β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-10-28), Heft 16, S. 1-13
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Coherently strained (001) β-(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> thin films on β-Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>: Growth and compositional analysis.
    Mauze, Akhil ; Itoh, Takeki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-09-21), Heft 11, S. 1-8
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