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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Chang, H. M. ; Lai, W. C. ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 9 (2013-04-01), Heft 4, S. 292-296
    Online academicJournal
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    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-06-01), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Understanding and controlling Ga contamination in InAlN barrier layers.
    Mrad, M. ; Charles, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 139-142
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Low temperature metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride using dimethylhydrazine as nitrogen source
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 419 (2002-11-01), Heft 1/2, S. 33-39
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Field enhanced GaN photocathode and a proposed implementation method.
    Wang, Xiaohui ; Yu, He ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 144 (2017-09-01), S. 281-288
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface.
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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