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    A Large-Signal Monolayer Graphene Field-Effect Transistor Compact Model for RF-Circuit Applications
    Aguirre-Morales, J. ; Fregonese, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 4302-4309
    Online academicJournal
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    Time-Dependent Dielectric Breakdown in High-Voltage GaN MIS-HEMTs: The Role of Temperature
    Warnock, S. ; Lemus, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-08-01), Heft 8, S. 3132-3138
    Online academicJournal
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    Noninvasive vacuum integrity tests on fast warm-up traveling-wave tubes
    Dallos, A. ; Carignan, R.G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-04-01), Heft 4, S. 827-828
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Ge-on-Si Single-Photon Avalanche Diode Detectors: Design, Modeling, Fabrication, and Characterization at Wavelengths 1310 and 1550 nm
    Warburton, R. E. ; Intermite, G. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-11-01), Heft 11, S. 3807-3813
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    High-Performance Smoothly Tapered Junction Termination Extensions for High-Voltage 4H-SiC Devices
    Imhoff, E. A. ; Kub, F. J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-10-01), Heft 10, S. 3395-3400
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Comprehensive Microscopic Analysis of Laser-Induced High Doping Regions in Silicon
    Gundel, P. ; Suwito, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-09-01), Heft 9, S. 2874-2877
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Evaluating the Aluminum-Alloyed $\hbox{p}^{+}$ -Layer of Silicon Solar Cells by Emitter Saturation Current Density and Optical Microspectroscopy Measurements
    Woehl, R. ; Gundel, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-02-01), Heft 2, S. 441-447
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Defect-Induced Breakdown in Multicrystalline Silicon Solar Cells
    Breitenstein, O. ; Bauer, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-09-01), Heft 9, S. 2227-2234
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Zinc Oxide Nanostructures and High Electron Mobility Nanocomposite Thin Film Transistors
    Li, F. M. ; Hsieh, G. W. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-11-01), Heft 11, S. 3001-3011
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    4H-SiC Visible-Blind Single-Photon Avalanche Diode for Ultraviolet Detection at 280 and 350 nm
    Hu, J. ; Xin, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-08-01), Heft 8, S. 1977-1983
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    A wafer-scale 3-D circuit integration technology
    Burns, J.A. ; Aull, B.F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-10-01), Heft 10, S. 2507-2516
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    HiSIM2: Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation
    Miura-Mattausch, M. ; Sadachika, N. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-09-01), Heft 9, S. 1994-2007
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Negative-bias temperature instability cure by process optimization
    Scarpa, A. ; Ward, D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-06-01), Heft 6, S. 1331-1339
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    110-GHz f/sub T/ silicon bipolar transistors implemented using fluorine implantation for boron diffusion suppression
    Kham, M.N. ; Mubarek, H.A.W.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 53 (2006-03-01), Heft 3, S. 545-552
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Substrate voltage and accumulation-mode MOS varactor capacitance
    Wartenberg, S.A. ; Hauser, J.R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-07-01), Heft 7, S. 1563-1567
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Microelectronics: its unusual origin and personality
    Warner, R.M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 48 (2001-11-01), Heft 11, S. 2457-2467
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Thermophotovoltaic and photovoltaic conversion at high-flux densities
    Coutts, T.J. ; Ward, J.S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-10-01), Heft 10, S. 2145-2153
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Modeling the temperature-dependent Early voltage of a silicon germanium heterojunction bipolar transistor
    Wartenberg, S.A. ; Westgate, C.R.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 46 (1999-06-01), Heft 6, S. 1207-1211
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Band-gap narrowing and high-frequency characteristics of Si/Ge/sub x/Si/sub 1-x/ heterojunction bipolar transistors formed by Ge ion implantation in Si
    Lombardo, S.A. ; Privitera, V. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 45 (1998-07-01), Heft 7, S. 1531-1537
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    A VLSI-compatible high-speed silicon photodetector for optical data link applications
    Ghioni, M. ; Zappa, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 43 (1996-07-01), Heft 7, S. 1054-1060
    Online academicJournal
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