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    α-(AlxGa1−x)2O3 single-layer and heterostructure buffers for the growth of conductive Sn-doped α-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition
    Dang, Giang T. ; Sato, Shota ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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    Magnetotransport properties of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures under illumination
    Tang, Ning ; Shen, Bo ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008-10-01, S. 1122
    Online Konferenz
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    First-principles surface energies for monoclinic Ga2O3 and Al2O3 and consequences for cracking of (AlxGa1−x)2O3
    Mu, Sai ; Wang, Mengen ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-09-01), Heft 9
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    The Energy Band Gap of AlxGa1-xN Thin Films as a Function of Al-Mole Fraction
    Ng, S. S. ; Yam, F. K. ; et al.
    In: 2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, 2006-11-01, S. 933
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Band alignment of β-(AlxGa1−x)2O3 alloys via atomic solid-state energy scale approach
    Ota, Yuichi
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-12-01), Heft 12
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Band offsets of AlxGa1−xAs/GaAs heterojunction from atomistic first principles
    Wang, Yin ; Zahid, Ferdows ; et al.
    In: 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-state Circuits, 2013-06-01, S. 1-2
    Online Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Growth, structural and optical properties of coherent κ-(AlxGa1−x)2O3/κ-Ga2O3 quantum well superlattice heterostructures
    Kneiß, M. ; Storm, P. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-05-01), Heft 5
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films
    A F M Anhar Uddin Bhuiyan ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-03-01), Heft 3
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Solubility limit and material properties of a κ-(AlxGa1−x)2O3 thin film with a lateral cation gradient on (00.1)Al2O3 by tin-assisted PLD
    Hassa, A. ; Sturm, C. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Comment on 'Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films' [APL Mater. 8, 031104 (2020)]
    Wouters, C. ; Schewski, R. ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-08-01), Heft 8
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Response to 'Comment on ‘Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1−x)2O3 thin films’' [APL Mater. 8, 089101 (2020)]
    A F M Anhar Uddin Bhuiyan ; Feng, Zixuan ; et al.
    In: APL Materials, Jg. 8 (2020-08-01), Heft 8
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Impact of pressure and composition on the mechanical behavior of InxGa1−xAs1−yPy and AlxIn1−xSb1−yPy quaternary alloys
    Othman, Mazin ; Salih, Sabaz ; et al.
    In: Results in Physics, Jg. 14 (2019-09-01), Heft -
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Estudio estructural y microestructural de la aleación AlxFe1−x (x=0.25; 0.5 y 0.75) obtenida por molienda mecánica
    R Rocha Cabrera ; Landauro, C.V ; et al.
    In: Revista de Investigación de Física, Jg. 22 (2019-12-01), Heft 2
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Insight into the physical mechanism of AlxGa1−xN electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes
    Zhao, Juanli ; Xiong, Zhihua ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 8 (2018-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Modeling and simulation of AlxGa/sub 1-x/N negative electron affinity cathodes
    Hatfield, C.W. ; Bilbro, G.L.
    In: Eleventh International Vacuum Microelectronics Conference. IVMC'98 (Cat. No.98TH8382), 1998, S. 289-290
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Theoretical analysis of the mobility of two-dimensional electron gas in the quaternary AlxInyGa1-x-yN/GaN heterojunctions limited by the alloy composition fluctuation
    Li, Yao ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Microstructures and Crackling Noise of AlxNbTiMoV High Entropy Alloys
    Shu Ying Chen ; Yang, Xiao ; et al.
    In: Entropy, Jg. 16 (2014-02-01), Heft 2, S. 870-884
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Quantification of trace-level silicon doping in AlxGa1–xN films using wavelength-dispersive X-ray microanalysis
    Spasevski, Lucia ; Buse, Ben ; et al.
    2021
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    First principles studies on the impact of point defects on the phase stability of (AlxCr1−x)2O3 solid solutions
    Koller, C. M. ; Koutná, N. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-02-01), Heft 2
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Optical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N alloy.
    Takeuchi, Katsuki ; Adachi, Sadao ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 107 (2010-01-15), Heft 2, S. 23306-23316
    Online academicJournal
    Zugriff:
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