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38 Treffer

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    Basic studies of gallium Nitride growth on Sapphire by metalorganuc Chemical Vapor Deposition and optical properties of deposited layers ; Grundlagenuntersuchungen zur MOCVD-Züchtung von Gallium-Nitrid auf Saphir und optische Eigenschaften von deponierten Schichten
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    雙加熱有機金屬氣相沈積系統成長 p 型氮化鎵薄膜電特性之研究 ; Electrical Characterizations of p-GaN Thin Films Grown by Two-Heater MOCVD
    郭敏寬 ; 陳衛國 ; et al.
    2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    噴灑頭式MOCVD反應器之熱流場與化學場數值模擬分析 ; Numerical Analysis of Chemical Reactions and Thermal Fluid Dynamics in MOCVD Reactor with Showerhead System
    林宣綸 ; Lin, Hsuan-Lun ; et al.
    2015
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    以有機化學氣相沉積法成長氧化鋅摻雜鎵之透明導電薄膜其特性及元件應用之研究 ; Characteristics and device applications of Ga-doped ZnO transparent conductive layers grown by MOCVD
    殷振揚 ; Yin, Chen-Yang ; et al.
    2014
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Effects of reaction-kinetic parameters on modeling reaction pathways in GaN MOVPE growth
    Zhang, Hong ; Zuo, Ran ; et al.
    In: SCI, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    利用雙加熱式有機金屬化學氣相磊晶系統成長高銦氮化銦鎵薄膜與其物理特性研究 ; Growth and characterization of middle-indium composition InGaN epilayers by two-heater MOCVD reactor
    陳玨愷 ; Chen, Chueh-Kai ; et al.
    2013
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes
    Lin, Tao ; Sun, Hang ; et al.
    2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Optical and structural properties of GaAs highly doped with carbon
    Diaz Reyes, Joel
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD.
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: ISSN: 0169-4332, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD.
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: ISSN: 0169-4332 ; Applied Surface Science ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00475599 ; Applied Surface Science, Elsevier, 2006, 253, pp.2820-2824. ⟨10.1016/j.apsusc.2006.05.062⟩, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    高效率化合物半導體太陽電池磊晶技術開發 ; Development of the epitaxial high-efficiency compound semiconductor for Solar cell applications
    洪瑞華 ; 行政院原子能委員會 ; et al.
    2008
    Online report
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    SELECTIVE AREA GROWTH OF GAAS WITH SEMICONDUCTOR-METAL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING PULSED-MODE OPERATION OF MOCVD
    Hong, CH Hong, Chang-Hee ; Kim, CT Kim, Chang-Tae ; et al.
    1990
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN
    LU, DC ; WANG, D ; et al.
    1995
    unknown
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    在MOCVD反應器中各種流速對流動特性的影響 ; The Influence of Various Flow Rates on Flow Features in MOCVD Reactor
    鍾哲允 ; Zhong, Jimmy ; et al.
    2015
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    利用有機金屬化學氣相沉積法探討使用鎵/銻介面處理對於成長銻化鎵薄膜於砷化鎵基板之影響 ; Effect of the Ga/Sb Treatment on the Growth of GaSb Epitaxy on GaAs Substrate Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    劉俊寬 ; Liu, Chun-Kuan ; et al.
    2015
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Study of optical and electrical properties of GaSb/Al x Ga 1-x Sb grown by MOCVD
    Ramelan, A. H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Ramelan , A H , Drozdowicz-Tomsia , K , Goldys , E M & Tansley, 2000
    Zeitungsartikel
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    應用部分因子實驗設計進行LED磊晶之MOCVD製程最佳參數之研究 ; The determination of the optimal parameter settings for LED in the MOCVD process using experimental design
    呂政冀 ; Lu, Chang-Chi ; et al.
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?

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