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83 Treffer

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    GaN/SiC Epitaxial Growth for High Power and High Switching Speed Device Applications
    Sun, Zheng ; Usami, Shigeyoshi ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 1736 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Epitaxial growth of Si nanowires by a modified VLS method using molten Ga as growth assistant
    Gewalt, Annika ; Kalkofen, Bodo ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 1144 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2008
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Optimization of GaN Barriers During the Growth of InGaN/GaN Quantum Wells at Low Temperature
    Kasarla, Kalyan R ; Chiang, Wenyu ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 1108 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2008
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Growth and Characterization of InGaNAs Quaternary Alloys for the Fabrication of Long Wavelength MSM Photodetectors on GaAs Substrates
    Higgins, Erle ; Noad, Julian ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 891 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2005
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Thermoelectric Properties of Semiconducting Intermetallic Compounds: FeGa3and RuGa3
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 793 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Control of indium surface segregation in GaAs layer on InGaP grown by MOVPE
    Fukushima, Y. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 744 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2002
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Growth of High Nitrogen Content GaAsN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Roberts, J. C. ; Moody, B. F. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 692 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Double pendeo-epitaxial growth of GaN films with low density of threading dislocation
    Hong, Y. K. ; Jung, H. S. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 693 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Nitride-Rich Hexagonal GaNP Growth Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Yoshida, Seikoh ; Itoh, Yoshiteru ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 639 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Uniformity Control of 3-Inch GaN/InGaN Layers Grown in Planetary Reactors®
    Protzmann, H. ; Luenenbuerger, M. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 618 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Growth and Characterization of GaN Thin Films on Si(111) Substrates Using SiC Intermediate Layer
    Lim, K. Y. ; Lee, K. J. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 595 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    MOVPE Growth of GaPAsN Quaternary Alloys Lattice-Matched to GaP
    Biwa, Goshi ; Yaguchi, Hiroyuki ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 482 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1997
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Robust Reaction-Transport Models of Movpe Reactors
    Theodoropoulos, C. ; Moffat, H. K. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 490 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1997
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Toward Growing III-V Clusters with Metalorganic Precursors
    Demchuk, A. ; Porter, J. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 468 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1997
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Growth and Characterization of GaAs Epitaxial Layers by MOCVD
    Hudait, Mantu Kumar ; Modak, Prasanta ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 421 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1996
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Selected Energy Epitaxy of Gallium Nitride
    Chilukuri, R. K. ; Zhang, Suian ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 449 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1996
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    MOVPE GaN Gas-Phase Chemistry for Reactor Design and Optimization
    Safvi, S. A. ; Redwing, J. M. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 449 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1996
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    AlGaInN Quaternary Alloys by MOCVD
    Mcintosh, F.G. ; Piner, E. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 395 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    A Modeling Study of GaN Growth by MOVPE
    Safvi, S.A. ; Redwing, J.M. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 395 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Parasitic Reactions between Alkyls and Ammonia in OMVPE
    Chen, C.H ; Liu, H. ; et al.
    In: MRS Proceedings ; volume 395 ; ISSN 0272-9172 1946-4274, 1995
    academicJournal
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