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    academicJournal
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    Hydrogen dissociation in the deposition of GaN films with ECR-PECVD process.
    Fu, S. L. ; Wang, C. A. ; et al.
    In: Indian Journal of Physics, Jg. 92 (2018-05-01), Heft 5, S. 655-660
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Effects of Different InGaN/GaN Electron Emission Layers/Interlayers on Performance of a UV-A LED
    Kim, Dohyun ; Song, Keun ; et al.
    In: Applied Sciences; Volume 10; Issue 4; Pages: 1514, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Epitaxy of GaN Film by Hydrogen Plasma Assisted MOCVD
    Sugianto, Sugianto ; Subagio, A. ; et al.
    In: Journal of Mathematical and Fundamental Sciences; Vol. 33 No. 1 (2001); 1-4, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    DFT study on adduct reaction paths of GaN MOCVD growth.
    Shi, Jun ; Cao ; et al.
    In: SCIENCE CHINA Technological Sciences, Jg. 56 (2013-07-01), Heft 7, S. 1644-1650
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Low temperature epitaxial deposition of GaN on LTCC substrates
    Alexandrov, Dimiter ; Tot, Jonny ; et al.
    In: 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2017-10-01, S. 48-54
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD
    Tamura, Kazuyuki ; Kuroki, Yuichiro ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-01-15), Heft 5, S. 659-662
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Properties of GaN epitaxial layers grown at high growth rates by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kokubun, Y. ; Nishio, J. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001), Heft 1, S. 23-26
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Mass spectroscopy study of GaN metalorganic chemical vapor deposition.
    Pakk, Yongjo ; Pavlidis, Dimitris
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-09-01), Heft 9, S. 1554-1560
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    EFFECT OF CAPPING LAYER ON In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N QUANTUM DOTS GROWN USING NNAD METHOD BY MOCVD.
    SONG, HEON ; NAVAMATHAVAN, R. ; et al.
    In: International Journal of Nanoscience, Jg. 8 (2009-02-01), Heft 1/2, S. 197-201
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE
    Martin, J. ; Martinez, A. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 147 (2008-02-15), Heft 2/3, S. 114-117
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Vapor pressures of the adducts formed during AlGaN organometallic vapor-phase epitaxy.
    Creighton, J.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 31 (2002-12-01), Heft 12, S. 1337-1340
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    In-situ monitoring of surface stoichiometry and growth kinetics study of GaN (0001) in MOVPE by spectroscopic ellipsometry.
    Taniyasu, Yoshitaka ; Yoshikawa, Akihiko
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1402-1407
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Effect of Growth Temperature on GaN Films Deposited on Stainless Steel Substrates by ECR-PEMOCVD
    Fuwen, Qin ; Zhongwei, Duan ; et al.
    In: Proceedings of the 8th Pacific Rim International Congress on Advanced Materials and Processing; (2016) S. 1893-1900
    Online E-Book
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    A study on the low temperature buffer layer for III-nitride electronic device ; 3족 질화물 반도체를 위한 저온 버퍼층 연구
    신인수 ; 윤의준 ; et al.
    2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Low-temperature self-limiting growth of III-nitride thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
    Biyikli, N. ; Ozgit, C. ; et al.
    In: Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2012
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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