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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    The growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
    Komae, Yasuaki ; Saitou, Takeshi ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 517 (2009-04-30), Heft 12, S. 3528-3531
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Low temperature metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride using dimethylhydrazine as nitrogen source
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 419 (2002-11-01), Heft 1/2, S. 33-39
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Field enhanced GaN photocathode and a proposed implementation method.
    Wang, Xiaohui ; Yu, He ; et al.
    In: Optik - International Journal for Light & Electron Optics, Jg. 144 (2017-09-01), S. 281-288
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.
    Liang, Feng ; Zhao, Degang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 467 (2017-06-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface.
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Demonstration of n-GaN:Si NWs having ultrahigh density and aspect ratio via a 3-step growth method using MOCVD.
    Um, Dae-Young ; Mandal, Arjun ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 18 (2016-01-21), Heft 3, S. 480-487
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Optimization of Gallium Nitride Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process.
    George, Pradeep ; Meng, Jiandong ; et al.
    In: Journal of Heat Transfer, Jg. 137 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-8
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Study of Optical Emission Spectroscopy in a GaN ECR-PECVD
    Ma, Tao ; Liu, Heng ; et al.
    In: 2010 Symposium on Photonics and Optoelectronics, 2010-06-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Morphology development of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique.
    Byung Oh Jung ; Bae, Si-Young ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 16 (2014-03-18), Heft 11, S. 2273-2282
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Growth of GaN layer with preserved nano-columnar low temperature GaN buffer to reduce the wafer bowing.
    Shin, In-Su ; Lee, Donghyun ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 546 (2013-11-01), S. 118-123
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Effect of compositionally graded AlGaN buffer layer grown by different functions of trimethylaluminum flow rates on the properties of GaN on Si (111) substrates.
    Yang, Yibin ; Xiang, Peng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 376 (2013-08-01), S. 23-27
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Au/n-GaN Schottky diode grown on Si(111) by plasma assisted MOCVD
    Budiman, M. ; Sutanto, H. ; et al.
    In: 2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. COMMAD 2002. Proceedings (Cat. No.02EX601), 2002, S. 91-94
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Chareterization of GaN/InGaN hetero-structures by SEM and CL
    Fornari, R. ; Bosi, M. ; et al.
    In: 12th International Conference on Semiconducting and Insulating Materials,, 2002, S. 76-79
    Online Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    The influence of residual GaN on two-step-grown GaN on sapphire.
    Peng, Liyuan ; Liu, Shuangtao ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 135 (2021-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate.
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (C), Jg. 10 (2013-03-01), Heft 3, S. 441-444
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
    Online academicJournal
    Zugriff:
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