Zum Hauptinhalt springen
UB Siegen

Suchergebnisse

Katalog

Aufsätze & mehr
135 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Notation".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Verlag

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

135 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Improved Electrical Degradation of AlInGaN/GaN HEMT by using Triethylgallium Grown GaN channel and Cap
    Sanyal, Indraneel ; Hu, Ting-Yu ; et al.
    In: 2019 Compound Semiconductor Week (CSW), 2019-05-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    Arun Kumar Dhasiyan ; Frank Wilson Amalraj ; et al.
    In: Scientific Reports, Jg. 14 (2024-05-01), Heft 1, S. 1-18
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Deposition Mechanism and Properties of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Gallium Nitride Films with Different Substrate Temperatures
    Ren, Fang-Bin ; Jiang, Shi-Cong ; et al.
    In: Molecules; Volume 27; Issue 23; Pages: 8123, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Effects of Initial GaN Growth Mode on Patterned Sapphire on the Opto-Electrical Characteristics of GaN-Based Light-Emitting Diodes
    Chang, H. M. ; Lai, W. C. ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 9 (2013-04-01), Heft 4, S. 292-296
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    The influence of GaN growth temperature on parasitic masking in SA-MOVPE using PECVD SiO2 mask.
    Stȩpniak, Michał ; Wośko, Mateusz ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride.
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 15 (2021-06-01), Heft 6, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    High Mobility and High N concentration of GaNxAs1-x Thin Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
    Hamidah, I. ; Suhandi, A. ; et al.
    In: 2008 IEEE PhotonicsGlobal@Singapore, 2008-12-01, S. 1
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer under low III/V source gas ratio by hot-mesh CVD
    Nagata, Kazuki ; Tamura, Kazuyuki ; et al.
    In: 2010 International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano), 2010-12-01, S. 1-2
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Ethylene for carbon doping of GaN by atmospheric pressure metal organic chemical vapor deposition.
    Zhang, Li ; Dong, Zhongyuan ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 345 (2023-08-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Low Carbon n-GaN Drift Layers for Vertical Power Electronic Devices
    Carlson, Eric Paul
    2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltextverfügbarkeit prüfen (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Understanding and controlling Ga contamination in InAlN barrier layers.
    Mrad, M. ; Charles, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 139-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates.
    Zhang, Dong ; Bai, Yizhen ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 102 (2011-02-01), Heft 2, S. 353-358
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Low temperature epitaxial deposition of GaN on LTCC substrates
    Alexandrov, Dimiter ; Tot, Jonny ; et al.
    In: 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2017-10-01, S. 48-54
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?

Elektronische Zeitschriften

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -