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105 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor.
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm, Jg. 25 (2023-02-28), Heft 8, S. 1263-1269
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Low-temperature growth of gallium oxide thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Mahmoodinezhad, Ali ; Janowitz, Christoph ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 38 (2020-03-01), Heft 2, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Epitaxial $\beta$ -Ga2O3 and $\beta$ -(AlxGa1−x)2O3/ $\beta$ -Ga2O3 Heterostructures Growth for Power Electronics
    Miller, R. ; Alema, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 31 (2018-11-01), Heft 4, S. 467-467
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    In <subscript>x</subscript> Ga <subscript>1-x</subscript> P Nanowire Growth Dynamics Strongly Affected by Doping Using Diethylzinc.
    Otnes, G ; Heurlin, M ; et al.
    In: Nano letters, Jg. 17 (2017-02-08), Heft 2, S. 702-707
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Growth of Al/sub x/Ga/sub 1-x/N by plasma assisted MOCVD
    Arifin, P. ; Sugianto ; et al.
    In: 2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. COMMAD 2002. Proceedings (Cat. No.02EX601), 2002, S. 45-48
    Online Konferenz
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as "Ga" source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition.
    Alevli, Mustafa ; Haider, Ali ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 34 (2016), Heft 1, S. 1A137-1- (6S.)
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Effect of Gallium Source Material on the Transparent Conducting Properties of Ga:ZnO Thin Films Through Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
    Thi Thanh Ho, Van ; Giang Bach, Long ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 623 (2015-12-01), Heft 1, S. 433-443
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Effect of carbon tetrabromide on the morphology of GaAs nanowires.
    Salehzadeh, O ; Watkins, SP
    In: Nanotechnology, Jg. 22 (2011-04-22), Heft 16, S. 165603
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.
    Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Characterization of Ga/HZSM-5 and Ga/HMOR synthesized by chemical vapor deposition of trimethylgallium.
    García-Sánchez, M. ; Magusin, P. C. M. M. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 219 (2003-10-25), Heft 2, S. 352-361
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Effects of Ga Supply on the Growth of (11‐22) AlN on <italic>m</italic>‐Plane (10‐10) Sapphire Substrates.
    Jo, Masafumi ; Hirayama, Hideki
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 255 (2018-05-01), Heft 5, S. 1-4
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    On the determination of alloy composition using optical spectroscopy in MOVPE grown InGaN layers on Si(111).
    Singh, Vikash K. ; Taya, Payal ; et al.
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 134 (2019-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Optimization of Gallium Nitride Metalorganic Chemical Vapor Deposition Process.
    George, Pradeep ; Meng, Jiandong ; et al.
    In: Journal of Heat Transfer, Jg. 137 (2015-06-01), Heft 6, S. 1-8
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Decomposition of trimethylgallium in the downstream region of a near afterglow plasma.
    Sheng, T. ; Pihlstrom, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-04), Heft 23, S. 2411-2413
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Growth kinetics of Ga x In(1−x)P nanowires using triethylgallium as Ga precursor.
    Dagytė, Vilgailė ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-09-28), Heft 39, S. 1-1
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Thermodynamic analysis for the prediction of N composition in coherently grown GaAsN for a multi-junction solar cell
    Kawano, Jun ; Kangawa, Yoshihiro ; et al.
    In: 2011 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2011-06-01, S. 496-500
    Online Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Growth characteristics and properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Nam, Taewook ; Lee, Chang Wan ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 295 (2014-03-15), S. 260-265
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006-12-30), Heft 5, S. 2820-2824
    Online academicJournal
    Zugriff:
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