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    Electronic, optical, and mechanical properties of AlxIn1−xP alloys under temperature and pressure
    Alfrnwani, O. A. ; Elkenany, Elkenany B. ; et al.
    In: Optical and Quantum Electronics ; volume 54, issue 5 ; ISSN 0306-8919 1572-817X, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design considerations to enhance 2D-Electron gas density in δ-doped β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 HFET
    Patnaik, Akash ; Sachchidanand ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 34, issue 27 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature photoluminescence study of AlxGa1−xN/GaN/AlxGa1−xN heterostructure nanocolumns
    AbdelAll, Naglaa ; ElGhoul, Jaber ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 34, issue 21 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Exploration of β-(AlxGa1−x)2O3 thin films at different deposition thicknesses by magnetron sputtering
    Zhao, Tingyu ; Zhao, Rongli ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 34, issue 18 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The alloying and pressure dependence of the electronic, optical, and mechanical behaviors of lattice-matched AlxIn1−xPySb1−y
    Al Maaitah, Ibtisam F. ; Alfrnwani, O. A. ; et al.
    In: Optical and Quantum Electronics ; volume 55, issue 3 ; ISSN 0306-8919 1572-817X, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative studies of nanoscale columnar AlxGa1-xN/AlN heterostructures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on cSi, porSi/cSi and SiC/porSi/cSi substrates
    Seredin, P.V. ; Goloshchapov, D.L. ; et al.
    In: Optical Materials ; volume 145, page 114451 ; ISSN 0925-3467, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of experimental results with theoretical models for the temperature dependence of the band gap of AlxGa1-xN epilayers
    Engelbrecht, J. A. A. ; Sephton, B. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 33, issue 28, page 22492-22498 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modelling the photoemission characteristics of exponential structure AlxGa1-xN nanowire array cathode under internal/external field
    Lu, Feifei ; Liu, Lei ; et al.
    In: Optical Materials ; volume 128, page 112435 ; ISSN 0925-3467, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effects of Ag+ and Al3+ substitution in (Cu1-xAgx)(In1-x Alx)S2 chalcopyrite nanoparticles synthesized by hydrothermal method: Study of microstructures and optical properties
    Rahimi, Said ; Mirkazemi, S. Mohammad ; et al.
    In: Optical and Quantum Electronics ; volume 53, issue 2 ; ISSN 0306-8919 1572-817X, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytic formulas and numerical simulations for non-uniform AlxGa1-xN nanostructure on electro-optical properties for UV Photodetectors
    Lv, Zhisheng ; Liu, Lei ; et al.
    In: Optics Communications ; volume 486, page 126799 ; ISSN 0030-4018, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of the electric field in glow discharge plasma sheath on the optoelectronic properties of the AlxZn1-xO thin films
    Amini, A. ; Zakerhamidi, M.S. ; et al.
    In: Optik ; volume 239, page 166772 ; ISSN 0030-4026, 2021
    academicJournal
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    Band alignment transition from type I to type II in GaAs / AlxGa1-x As quantum ring
    Sellami, Rihab ; Ben Mansour, Afef ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ; volume 126, page 114476 ; ISSN 1386-9477, 2021
    academicJournal
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    Microhardness, wear resistance, and corrosion resistance of AlxCrFeCoNiCu high-entropy alloy coatings on aluminum by laser cladding
    Li, Yanzhou ; Shi, Yan
    In: Optics & Laser Technology ; volume 134, page 106632 ; ISSN 0030-3992, 2021
    academicJournal
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    Theoretical investigations on structural, electronic and optical properties of wurtzite AlxGa1-xN (x=0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1)
    Yu, Ang-yang
    In: Optik ; volume 203, page 164035 ; ISSN 0030-4026, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An ab initio study of the structural and optoelectronic properties of AlxGa1−xN (x = 0, 0.125, 0.375, 0.625, 0.875, and 1) semiconductors
    Kafi, A. ; Driss Khodja, F. ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics ; volume 19, issue 1, page 26-37 ; ISSN 1569-8025 1572-8137, 2019
    academicJournal
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    Induced dielectric behavior in high dense AlxLa1-xTiO3 (x = 0.2–0.8) nanospheres
    Dastagiri, S. ; Lakshmaiah, M. V. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 30, issue 22, page 20253-20264 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2019
    academicJournal
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    Evaluation of spontaneous superlattice ordering in MOCVD grown AlxGa1-xAs epilayer on GaAs (100) using X-ray reflectivity and rocking curve analysis
    Maitra, T. ; Pradhan, A. ; et al.
    In: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures ; volume 106, page 357-362 ; ISSN 1386-9477, 2019
    academicJournal
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    Performance of the structure AlxGa1-xAs1-yNy/Ge for solar cell applications
    Bellil, W. ; Aissat, A. ; et al.
    In: Optik ; volume 171, page 803-808 ; ISSN 0030-4026, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of GaN/AlGaN photocathode with variable aluminum AlxGa1−xN material in emission layer
    Fu, Xiaoqian ; Li, Yang ; et al.
    In: Optik ; volume 158, page 363-367 ; ISSN 0030-4026, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fractal size, occupied fraction study with annealing of heterostructure based AlxGa1−xN
    Zeybek, O. ; Ayaz, A. ; et al.
    In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics ; volume 29, issue 3, page 2040-2044 ; ISSN 0957-4522 1573-482X, 2017
    academicJournal
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