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93 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Comparison of Triethylgallium and Trimethylgallium Precursors for GaInP Nanowire Growth
    Alcer, David ; Saxena, Aditya P. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B) Basic Research; 258(2), no 2000400 (2021) ; ISSN: 0370-1972, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Laser‐Assisted Metal–Organic Chemical Vapor Deposition of Gallium Nitride
    Zhang, Yuxuan ; Chen, Zhaoying ; et al.
    In: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters ; volume 15, issue 6 ; ISSN 1862-6254 1862-6270, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor
    Niu, Huidan ; Yao, Weizhen ; et al.
    In: CrystEngComm ; volume 25, issue 8, page 1263-1269 ; ISSN 1466-8033, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Sn-seeded GaAs nanowires grown by MOVPE
    Sun, Rong ; Vainorius, Neimantas ; et al.
    In: Nanotechnology; 27(21), 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Zn-doping of GaAs nanowires grown by Aerotaxy
    Yang, Fangfang ; Messing, Maria ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth; 414, pp 181-186 (2015) ; ISSN: 0022-0248, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Green emission from semipolar InGaN quantum wells grown on low‐defect () GaN templates fabricated on patterned r ‐sapphire
    de Mierry, P. ; Kappei, L. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 253, issue 1, page 105-111 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Optimization of Materials for Magnetic Refrigeration and Thermomagnetic Power Generation
    Tantillo, Anthony N
    In: Dissertations, Theses, and Capstone Projects, 2021
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Influence of growth process scheme on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
    Wośko, Mateusz ; Paszkiewicz, Bogdan ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 10, issue 3, page 306-310 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Characterization of low Al content Al x Ga 1− x N epitaxial films grown by atmospheric‐pressure MOVPE
    Touré, A. ; Halidou, I. ; et al.
    In: physica status solidi (a) ; volume 209, issue 5, page 977-983 ; ISSN 1862-6300 1862-6319, 2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    InxGa1-xP Nanowire Growth Dynamics Strongly Affected by Doping Using Diethylzinc
    Otnes, Gaute ; Heurlin, Magnus ; et al.
    In: Nano Letters; 17(2), pp 702-707 (2017) ; ISSN: 1530-6984, 2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Luminescence properties of GaPN layer grown by OMVPE
    Hatakenaka, S. ; Wakahara, A. ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 5, issue 6, page 1682-1684 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2008
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Thermal stability of amorphous structure and magnetic properties Fe 80– x Co x P 14 B 6 ( x = 20–40) ribbons
    Kostyrya, S. A. ; Idzikowski, B. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 243, issue 1, page 339-342 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Effects of precursor additives on the stability of plasma enhanced chemical vapor deposited a-GeC(O):H films
    Grill, A. ; Guilley, S. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 17, issue 2, page 367-375 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 2002
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Fundamental models of the metalorganic vapor-phase epitaxy of gallium nitride and their use in reactor design
    Pawlowski, R. P. ; Theodoropoulos, C. ; et al.
    In: Pawlowski , R P , Theodoropoulos , C , Salinger , A G , Mountziaris, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Growth kinetics and characterizations of gallium nitride thin films by remote PECVD
    Choi, S.W. ; Bachmann, K.J. ; et al.
    In: Journal of Materials Research ; volume 8, issue 4, page 847-854 ; ISSN 0884-2914 2044-5326, 1993
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Sunyaev-Zel'Dovich effect observations of the bullet cluster (1E 0657-56) with APEX-SZ
    Halverson, N.W.
    2009
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    N-type doping and morphology of GaAs nanowires in Aerotaxy
    Metaferia, Wondwosen ; Sivakumar, Sudhakar ; et al.
    In: Nanotechnology; 29(28), 2018
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Effects of Ga Supply on the Growth of (11‐22) AlN on m ‐Plane (10‐10) Sapphire Substrates
    Jo, Masafumi ; Hirayama, Hideki
    In: physica status solidi (b) ; volume 255, issue 5 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 2018
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Organometallic vapour phase epitaxy of galliumarsenide using Ga(CH 3 ) 3 · N(CH 3 ) 3 ‐adduct as precursor
    Seifert, W. ; Ploska, K. ; et al.
    In: Crystal Research and Technology ; volume 24, issue 1, page 29-33 ; ISSN 0232-1300 1521-4079, 1989
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Various types of GaN/InGaN nanostructures grown by MOCVD on Si(111) substrate
    Rozhavskaya, Mariya M. ; Lundin, Wsevolod V. ; et al.
    In: physica status solidi c ; volume 10, issue 3, page 441-444 ; ISSN 1862-6351 1610-1642, 2013
    academicJournal
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