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86 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Thermal Properties of TmGa 3
    Czopnik, A. ; Mädge, H. ; et al.
    In: physica status solidi (b) ; volume 163, issue 2, page 473-480 ; ISSN 0370-1972 1521-3951, 1991
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 200, issue 1-2, page 63-69 ; ISSN 0022-0248, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 189-190, page 340-343 ; ISSN 0022-0248, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    A study of parasitic reactions between NH3 and TMGa or TMAI
    Chen, C. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 25, issue 6, page 1004-1008 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1996
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    A comparison of TMGa and TEGa for low-temperature metalorganic chemical vapor deposition growth of CCI4-doped inGaAs
    Stockman, S. A. ; Hanson, A. W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 23, issue 8, page 791-799 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    A comment on: “SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)” by C.R. Flores, X.L. Zhou and J.M. White [Surface Science 261 (1992) 99]
    Cadwell, L.A. ; Masel, R.I.
    In: Surface Science ; volume 301, issue 1-3, page 415-422 ; ISSN 0039-6028, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Investigations on the compositional non-uniformity of selectively grown GaxIn1−xP by LP-MOCVD using EDMI, TMI, TEG, and TMG as group III sources
    Chan, Shih-Hsiung ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 145, issue 1-4, page 978-980 ; ISSN 0022-0248, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science ; volume 82-83, page 263-268 ; ISSN 0169-4332, 1994
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 132, issue 3-4, page 364-370 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 127, issue 1-4, page 1059-1063 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)
    Flores, C.R. ; Zhou, X. L. ; et al.
    In: Surface Science ; volume 261, issue 1-3, page 99-110 ; ISSN 0039-6028, 1992
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Magnetic properties of TmFeO 3 and TmGa 0.13 Fe 0.87 O 3 orthoferrites
    Karneeva, S.S. ; Kalantarian, V.P. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials ; volume 110, issue 3, page 327-330 ; ISSN 0304-8853, 1992
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 124, issue 1-4, page 220-226 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH3, and Si2H6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 228-233 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    RHEED studies of MOMBE growth using TMGa or TEGa with As2
    Lacklison, D.E. ; Foxon, C.T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 50-56 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    The electrical, optical and crystalline properties of GaAs: C grown by GSMBE using TMG and AsH3 for application to HBTs
    Sandhu, A. ; Nakamura, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 296-300 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
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