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86 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    GaSb/AlGaSb COMPOUND SEMICONDUCTORS GROWN BY MOCVD FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS.
    RAMELAN, A. H. ; YAHYA, I. ; et al.
    In: Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials, Jg. 15 (2006-09-01), Heft 3, S. 323-329
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Growth and properties of GaSb and Al/sub x/Ga/sub 1-x/Sb layers by MOCVD
    Ramelan, A.H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: 1998 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings (Cat. No.98EX140), 1998, S. 464-467
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Influence of sapphire annealing in trimethylgallium atmosphere on GaN epitaxy by MOCVD
    Grzegorczyk, A.P. ; Hageman, P.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 283 (2005-09-15), Heft 1/2, S. 72-80
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Growth of gallium oxide thin films on silicon by the metal organic chemical vapor deposition method
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 110 (2004-06-25), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Growth of gallium antimonide (GaSb) by metalorganic chemical vapour deposition
    Subekti, A. ; Goldys, E.M. ; et al.
    In: 1996 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. Proceedings, 1996, S. 426-429
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Analysis of gallium arsenide deposition in a horizontal chemical vapor deposition reactor using massively parallel computations
    Salinger, Andrew G. ; Shadid, John N. ; et al.
    In: Other Information: PBD: Jan 1998, 1998
    report
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    MOCVD growth of AlGaN UV LEDs
    Han, J. ; Crawford, M. H. ; et al.
    In: SPIE photonics Taiwan `98, Taipei (Taiwan, Province of China), 9-11 Jul 1998, 1998
    report
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN
    Lu, DC ; Duan, S ; et al.
    2000
    report
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Analysis of gallium arsenide deposition in a horizontal chemical vapor deposition reactor using massively parallel computations
    Salinger, A.G. ; Shadid, J.N. ; et al.
    2010
    unknown
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    MOCVD growth of AlGaN UV LEDs
    Han, J. ; Crawford, M.H.
    2010
    unknown
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    serialPeriodical
  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Growth of High Nitrogen Content GaAsN by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Roberts, J. C. ; Moody, B. F. ; et al.
    In: DTIC AND NTIS, 2002
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Investigation of III-Nitride Alloys for Ultraviolet Photodetectors and Blue-Green Lasers
    NORTHWESTERN UNIV EVANSTON IL CENTER FOR QUANTUM, DEVICES
    In: DTIC AND NTIS, 2001
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Monitoring of MOCVD reactants by UV absorption
    Baucom, K. C. ; Killeen, K. P. ; et al.
    In: 7. biennial workshop on organometallic vapor phase epitaxy, Fort Meyers, FL (United States), 2-6 Apr 1995, 1995
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    Adsorbed Layers in the Process of Chemical Vapor Deposition
    Nishizawa, Jun-ichi ; OPTICAL SOCIETY OF AMERICA WASHINGTON, DC
    In: DTIC AND NTIS, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GROWTH OF GAN
    LU, DC ; WANG, D ; et al.
    1995
    unknown
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Thin films of gallium arsenide on low-cost substrates. Quarterly project report No. 1, July 5--October 2, 1976
    Ruth, R.P. ; Dapkus, P.D. ; et al.
    2013
    unknown
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Thin films of gallium arsenide on low-cost substrates. Quarterly project report No. 2, October 3, 1976--January 1, 1977
    Ruth, R.P. ; Dapkus, P.D. ; et al.
    2013
    unknown
    Wie komme ich dran?

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