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86 Treffer

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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    EFFECTS OF OPERATING CONDITIONS ON THE DEPOSITION OF GaAs IN A VERTICAL CVD REACTOR.
    Baek, Jae-Sang ; Boo, Jin-Hyo ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 15 (2008-02-01), Heft 1/2, S. 111-116
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Growth of GaN on SiC/Si substrates using AlN buffer layer by hot-mesh CVD
    Tamura, Kazuyuki ; Kuroki, Yuichiro ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 516 (2008-01-15), Heft 5, S. 659-662
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Characterization and reactivity of Ga<superscript>+</superscript> and GaO<superscript>+</superscript> cations in zeolite ZSM-5
    Rane, N. ; Overweg, A.R. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 239 (2006-04-25), Heft 2, S. 478-485
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells.
    Zhang, J.C. ; Wang, J.F. ; et al.
    In: Journal of Applied Crystallography, Jg. 37 (2004-06-01), Heft 3, S. 391-394
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Characterization of Ga/HZSM-5 and Ga/HMOR synthesized by chemical vapor deposition of trimethylgallium.
    García-Sánchez, M. ; Magusin, P. C. M. M. ; et al.
    In: Journal of Catalysis, Jg. 219 (2003-10-25), Heft 2, S. 352-361
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Low temperature metalorganic chemical vapor deposition of gallium nitride using dimethylhydrazine as nitrogen source
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 419 (2002-11-01), Heft 1/2, S. 33-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Composition of selectively grown Ga/sub x/In/sub 1-x/P from high resolution double-crystal x-ray measurement
    Chan, Shih-Hsiung ; Sze, S.M. ; et al.
    In: International Electron Devices and Materials Symposium, 1994, S. 4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Thickness-dependent physical and nanomechanical properties of [formula omitted] thin films.
    Boughrara, N. ; Benzarti, Z. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 151 (2022-11-15), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    1.55 μm emission from InAs quantum dots grown on GaAs.
    Hsieh, Tung-Po ; Chiu, Pei-Chin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-10-10), Heft 15, S. 151903-151905
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Red emission from Eu-doped GaN luminescent films grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Pan, M. ; Steckl, A. J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-07-07), Heft 1, S. 9-11
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Molecular stream epitaxy of ultrathin InGaAs/GaAsP superlattices.
    Katsuyama, T. ; Tischler, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-17), Heft 7, S. 529-531
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Study of Optical Emission Spectroscopy in a GaN ECR-PECVD
    Ma, Tao ; Liu, Heng ; et al.
    In: 2010 Symposium on Photonics and Optoelectronics, 2010-06-01, S. 1-4
    Online Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Study of In<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers growth on GaN/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> by MOCVD at different pressures.
    Guarneros, C. ; Espinosa, J. E. ; et al.
    In: Superficies y Vacío, Jg. 26 (2013-09-01), Heft 3, S. 107-110
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Catalyst-free selective-area epitaxy of GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition using triethylgallium.
    Kim, Hyunseok ; Ren, Dingkun ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-02-23), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    X-ray photoelectron spectroscopy of Al/sub x/Ga/sub 1-x/Sb grown by metalorganic chemical vapour deposition
    Ramelan, A.H. ; Butcher, K.S.A. ; et al.
    In: 2002 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices. COMMAD 2002. Proceedings (Cat. No.02EX601), 2002, S. 149-152
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Study of optical and electrical properties of GaSb/Al/sub x/Ga/sub 1-x/Sb grown by MOCVD
    Ramelan, A.H. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference. SIMC-XI (Cat. No.00CH37046), 2000, S. 209-212
    Online Konferenz
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Growth of AlGaSb Compound Semiconductors on GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapour Deposition.
    Ramelan, A. H. ; Harjana, H. ; et al.
    In: Advances in Materials Science & Engineering, 2010, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
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