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    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
    Online academicJournal
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    Effect of Se-doping on deep impurities in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As grown by metalorganic chemical vapor deposition
    Chen, J. C. ; Huang, Z. C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1677-1682
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Improved quality of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as grown on se-Doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as substrate-Layers by metalorganic chemical vapor deposition
    Lee, Kun-Jing ; Huang, Z. C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-07-01), Heft 7, S. 1064-1066
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Effect of surface encapsulation and As<subscript>4</subscript> overpressure on Si diffusion and impurity-induced layer disordering in GaAs, Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As, and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As-GaAs quantum well heterostructures
    Guido, L. J. ; Plano, W. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 17 (1988), Heft 1, S. 53-56
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Properties of Ge-doped GaAs and Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−x</subscript>As, Sn-doped Al<subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−x</subscript>As and Si-Te-doped GaAs
    Shih, K. K. ; Pettit, G. D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 3 (1974-05-01), Heft 2, S. 391-408
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Low-noise solar-blind Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors
    Li, Ting ; Lambert, D. J. H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-07-01), Heft 7, S. 872-877
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript> as by metalorganic chemical vapor deposition using trimethylgallium and trimethylamine alane
    Sundaram, V. S. ; Fraas, L. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-11-01), Heft 11, S. 1047-1050
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    TEM evidence of perovskite–brownmillerite coexistence in the Ca(Al<subscript>x</subscript>Fe<subscript>1−x</subscript>)O<subscript>2.5</subscript> system with minor amounts of titanium and silicon
    Gloter, A. ; Ingrin, J. ; et al.
    In: Physics and Chemistry of Minerals, Jg. 27 (2000-08-01), Heft 7, S. 504-513
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    SIMS investigations into the effect of growth conditions on residual impurity and silicon incorporation in GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N
    Parish, G. ; Keller, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 15-20
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Germanium as a deep level in al<subscript>x</subscript>ga<subscript>1− x</subscript>as grown by organometallic vapor phase epitaxy
    Green, R. T. ; Lee, W. I.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-10-01), Heft 10, S. 583-587
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Use of tertiarybutylphosphine for OMVPE growth of (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)o.51 In<subscript>0.49</subscript>P
    Cao, D. S. ; Stringfellow, G. B.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991), Heft 1, S. 97-101
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    Hall analysis of the electrical properties of n-type Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As grown by MOVPE
    Leitch, A. W. R. ; Raubenheimer, D.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-12-01), Heft 12, S. 1429-1432
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Synthesis and Raman characteristics of hexagonal AlxGa1-xN alloy nanocrystalline solids through ammonothermal routes
    Cao, Y.G. ; Chen, X.L. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science and Processing, Jg. 72 (2001), Heft 1, S. 125-127
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Electron paramagnetic resonance and optically-detected magnetic resonance of donors in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As
    Kennedy, T. A. ; Glaser, E.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991), Heft 1, S. 49-54
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Bistability of theDX center in GaAs and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As, and experimental tests for negativeU of theDX level
    Theis, T. N. ; Mooney, P. M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991), Heft 1, S. 35-48
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    The effect of trimethylaluminum concentration on the incorporation of P In Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>P<subscript>y</subscript>As<subscript>1−y</subscript> grown by organometallic vapor phase epitaxy
    Ludowise, M. J. ; Dietze, W. T.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982), Heft 1, S. 59-73
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Organometallic VPE growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As
    Stringfellow, G. B. ; Hall, H. T.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 8 (1979-05-01), Heft 3, S. 201-226
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Growth of High-Quality Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As By OMVPE for laser devices
    Wagner, E. E. ; Horn, G. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981), Heft 1, S. 239-253
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Growth and characterization of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As Bragg reflectors by LP-MOCVD
    Vernon, S. M. ; Tobin, S. P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 335-340
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Effect of growth velocity on the growth temperature of the Al-Al<subscript>x</subscript>Fe eutectic in Al-2.85Fe-0.12V alloy
    Wang, Y. ; Jones, H.
    In: Metallurgical and Materials Transactions A, Jg. 32 (2001-05-01), Heft 5, S. 1251-1253
    Online academicJournal
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