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    academicJournal
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    Plasma Enhanced atomic layer deposited amorphous gallium oxide thin films using novel trimethyl[N-(2-methoxyethyl)-2-methylpropan-2-amine]gallium.
    Hong, Tae ; Hyun ; et al.
    In: Ceramics International, Jg. 47 (2021-01-15), Heft 2, S. 1588-1593
    Online academicJournal
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 189-190 (1998-06-15), S. 340-343
    Online academicJournal
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    Defective maintenance of pH of stratum corneum is correlated with preferential emergence and exacerbation of atopic-dermatitis-like dermatitis in flaky-tail mice.
    Sakai, Takashi ; Hatano, Yutaka ; et al.
    In: Journal of Dermatological Science, Jg. 74 (2014-06-01), Heft 3, S. 222-228
    Online academicJournal
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    Magnetic properties of TmAl 3 and TmGa 3
    Deutz, A.F. ; Brom, H.B. ; et al.
    In: Physica B: Physics of Condensed Matter, Jg. 160 (1989), Heft 1, S. 83-90
    Online academicJournal
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    Magnetic and structural transitions in TmGa 3
    Czopnik, A. ; Iliew, N. ; et al.
    In: Physica B+C, Jg. 130 (1985), Heft 1, S. 262-264
    Online academicJournal
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    Antiferroquadrupolar and antiferromagnetic structures in TmGa 3
    Morin, P. ; Giraud, M. ; et al.
    In: Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Jg. 68 (1987), Heft 1, S. 107-114
    Online academicJournal
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    In-situ observation of Ga adsorption during TMGa exposure on GaAs(001) surfaces with various As coverages
    Otake, Shigeyuki ; Sakamoto, Akira ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 82 (1994), S. 263-268
    Online academicJournal
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    Track membranes of the third generation, (TMG-3): their properties and industrial application
    Kuznetsov, V.I. ; Kuznetsov, L.V. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 105 (1995), Heft 1, S. 250-253
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    A comment on: “SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)” by C.R. Flores, X.L. Zhou and J.M. White [Surface Science 261 (1992) 99]
    Cadwell, L.A. ; Masel, R.I.
    In: Surface Science, Jg. 301 (1994), Heft 1, S. 415-422
    Online academicJournal
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    SSIMS identification of surface intermediates in the thermal decomposition of TMGa on Si(100)
    Flores, C.R. ; Zhou, X. L. ; et al.
    In: Surface Science, Jg. 261 (1992), Heft 1, S. 99-110
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 127 (1993), Heft 1, S. 1059-1063
    Online academicJournal
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH 3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 124 (1992), Heft 1, S. 220-226
    Online academicJournal
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    The influence of TMA and SiH 4 on the incorporation rate of Ga in Al xGa 1− xN crystals grown from TMG and NH 3
    Sayyah, Keyvan ; Chung, Bu-Chin ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 424-429
    Online academicJournal
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    GaP and GaAs films grown by vacuum chemical epitaxy using TEGa and TMGa sources
    Fraas, L.M. ; McLeod, P.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 386-391
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    MOCVD in inverted stagnation point flow: I. Deposition of GaAs from TMAs and TMGa
    Lee, Peter ; McKenna, Don ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 77 (1986), Heft 1, S. 120-127
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Studies of TMGa adsorption on thin GaAs and InAs (001) layers
    Maa, B.Y. ; Dapkus, P.D.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 105 (1990), Heft 1, S. 213-220
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Carbon incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs using CH yX 4 − y, TMG and AsH 3
    Buchan, N.I. ; Kuech, T.F. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 110 (1991), Heft 3, S. 405-414
    Online academicJournal
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    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 132 (1993), Heft 3, S. 364-370
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH 3, and Si 2H 6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 120 (1992), Heft 1, S. 228-233
    Online academicJournal
    Zugriff:
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