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    Low-temperature growth of gallium oxide thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Mahmoodinezhad, Ali ; Janowitz, Christoph ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 38 (2020-03-01), Heft 2, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Influence of a composite free layer structure on thermal stability of perpendicular magnetic tunnel junction.
    Skowroński, Witold ; Łazarski, Stanisław ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-08-14), Heft 6, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    The design of a wide bandwidth time marker generator.
    Huang, Lei ; Tian, Shulin ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 89 (2018-11-01), Heft 11, S. N.PAG- (12S.)
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    Ab initio theoretical study of arsine and trimethylgallium: The formation of GaAs by a stable adduct.
    Graves, Richard M. ; Scuseria, Gustavo E.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 96 (1992-03-01), Heft 5, S. 3723-3731
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    Fabrication of fully epitaxial Co<subscript>2</subscript>MnSi/MgO/Co<subscript>2</subscript>MnSi magnetic tunnel junctions.
    Ishikawa, Takayuki ; Hakamata, Shinya ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-04-01), Heft 7, S. 7A919- (3S.)
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Surface Chemistry of Ga(CH<subscript>3</subscript>)<subscript>3</subscript> on Pd(111) and Effect of Pre-covered H and O.
    Ding, Liang-bing ; Ma, Yun-sheng ; et al.
    In: Chinese Journal of Chemical Physics (1674-0068), Jg. 29 (2016-10-27), Heft 5, S. 591-599
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as "Ga" source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition.
    Alevli, Mustafa ; Haider, Ali ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 34 (2016), Heft 1, S. 1A137-1- (6S.)
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Post-oxidized Mg-Al-O(001) coherent tunneling barrier in a wide range of resistance-area products.
    Sukegawa, Hiroaki ; Inomata, Koichiro ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-09-01), Heft 9, S. 1-5
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
    2008
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Detection of the valence band in buried Co2MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    2008
    Online Elektronische Ressource
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    Detection of the valence band in buried Co2MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    2008
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    Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
    2008
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    Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
    2008
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    Detection of the valence band in buried Co2MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    2008
    Online Elektronische Ressource
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    Detection of the valence band in buried Co2MnSi–MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    2008
    Online Elektronische Ressource
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    Zum Datensatz bei OAister, evt. Volltext
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Fabrication of fully epitaxial Co2MnSi/MgO/Co2MnSi magnetic tunnel junctions
    2008
    Online Elektronische Ressource
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Hole mobility in Al[sub x]Ga[sub 1-x]Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Ramelan, A. H. ; Goldys, E. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-15), Heft 10, S. 6051-6056
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Dissociation of trimethylgallium on the ZrB2(0001) surface.
    Manandhar, Kedar ; Trenary, Michael ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 31 (2013-11-01), Heft 6, S. 61405-61413
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