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    Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic molecular beam epitaxy.
    Abernathy, C. R. ; Pearton, S. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-10-23), Heft 17, S. 1750-1752
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 62 öffnen
    Reaction of trimethylgallium in the atomic layer epitaxy of GaAs (100).
    Yu, Ming L. ; Memmert, Ulrich ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-09-04), Heft 10, S. 1011-1013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    Direct writing of GaAs monolayers by laser-assisted atomic layer epitaxy.
    Karam, N. H. ; Liu, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-04-04), Heft 14, S. 1144-1146
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Reaction mechanisms in the organometallic vapor phase epitaxial growth of GaAs.
    Larsen, C. A. ; Buchan, N. I. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-02-08), Heft 6, S. 480-482
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Molecular stream epitaxy of ultrathin InGaAs/GaAsP superlattices.
    Katsuyama, T. ; Tischler, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-17), Heft 7, S. 529-531
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Stepwise monolayer growth of GaAs by switched laser metalorganic vapor phase epitaxy.
    Doi, Atsutoshi ; Aoyagi, Yoshinobu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 49 (1986-09-29), Heft 13, S. 785-787
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Self-limiting mechanism in the atomic layer epitaxy of GaAs.
    Tischler, M. A. ; Bedair, S. M.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-06-16), Heft 24, S. 1681-1683
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Grown-in defects in multi-epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions.
    Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 47 (1985-12-01), Heft 11, S. 1180-1182
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Zum Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 69 öffnen
    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide
    2014
    Online Elektronische Ressource
    Zugriff:
    Zum Datensatz bei OAister, evt. Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Tetramethylene glycol mediated hydrothermal synthesis of defect-rich SnO<subscript>2</subscript> nanoparticles for fast adsorption and degradation of MB dye.
    Rani, Barkha ; Jadhao, Charushila Vasant ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1942 (2018-03-22), Heft 1, S. 1
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide.
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 105 (2014-07-21), Heft 3, S. 1-4
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Atomic layer deposition of GaN at low temperatures.
    Ozgit, Cagla ; Donmez, Inci ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 30 (2012), Heft 1, S. 1A124- (4S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Thickness inhomogeneities and growth mechanisms of GaP heteroepitaxy by organometallic chemical vapor deposition.
    Liu, X. ; Aspnes, D. E.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 28 (2010-07-01), Heft 4, S. 583-589
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Cross calibration of AGFA-D7 x-ray film against direct exposure film from 2 to 8.5 keV using laser generated x-rays.
    Kyrala, George A.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 77 (2006-05-01), Heft 5, S. 55104-55108
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Effect of controlled growth rate on the tilt mosaic microstructure of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire.
    Lee, Yong Seok ; Kim, Hun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1399 (2011-12-22), Heft 1, S. 111-112
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    Comparison of Two Methods of Noise Power Spectrum Determinations of Medical Radiography Systems.
    Hassan, Wan Muhamad Saridan Wan ; Ahmed Darwish, Zeki
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1328 (2011-03-30), Heft 1, S. 321-323
    Online Konferenz
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Room-temperature liquid dielectrics for high-energy x-ray tomography.
    Lepert, S.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 61 (1990-11-01), Heft 11, S. 3456-3459
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Spin transport and magnetoresistance in Thue-Morse graphene superlattice with two ferromagnetic graphene electrodes.
    Liu, Haiyan ; Zhang, Hongmei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-10-28), Heft 16, S. 163715-163715
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Vertical GaP nanowires arranged at atomic steps on Si(111) substrates.
    Tateno, K. ; Hibino, H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 89 (2006-07-17), Heft 3, S. 33114-33116
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    Photoemission investigation of the room-temperature adsorption of trimethylgallium on GaAs surface.
    Claverie, Pierre ; Ueyama, Kosuke ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-02-20), Heft 8, S. 698-699
    Online academicJournal
    Zugriff:
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