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    n-type doping and morphology of GaAs nanowires in Aerotaxy.
    Metaferia, Wondwosen ; Sivakumar, Sudhakar ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-07-23), Heft 28, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Analytical Threshold Model for Nanoscale Cylindrical Surrounding-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor with High-κ Gate Dielectric and Tri-Material Gate Stack.
    Li, Cong ; Zhuang, Yi-Qi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 49 (2010-12-01), Heft 12R, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Epitaxial Growth of GaN Films by Pulse-Mode Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition.
    Komae, Yasuaki ; Yasui, Kanji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 48 (2009-07-01), Heft 7R, S. 1-1
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Black hole mass and angular momentum in topologically massive gravity
    Bouchareb, Adel ; Clément, Gérard ; et al.
    In: ISSN: 0264-9381, 2007
    academicJournal
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    Gauge invariant factorisation and canonical quantisation of topologically massive gauge theories in any dimension
    Bertrand, Bruno ; Govaerts, Jan ; et al.
    In: Journal of Physics A: Mathematical and Theoretical, Vol. 40, no. 31, p. 9609-9634 (2007, 2007
    Online academicJournal
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    Thermodynamic considerations of the vapor phase reactions in III–nitride metal organic vapor phase epitaxy.
    Sekiguchi, Kazuki ; Shirakawa, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-04-15), Heft 4S, S. 1-1
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    High quality Al0.99Ga0.01N layers on sapphire substrates grown at 1150 °C by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Katsuno, Shota ; Yasuda, Toshiki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017), Heft 1, S. 1-1
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Improving source efficiency for aluminum nitride grown by metal organic chemical vapor deposition.
    Humberto M Foronda ; Matthew A Laurent ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 31 (2016-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Thin film GaP for solar cell application
    Morozov, I ; Gudovskikh, A ; et al.
    In: ISSN: 1742-6588 ; EISSN: 1742-6596, 2016
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 70 öffnen
    Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates.
    Wang, Hongbo ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 9 (2016-05-01), Heft 5, S. 1-1
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 71 öffnen
    The late stellar assembly of massive cluster galaxies via major merging
    Tran, K V H ; Moustakas, J ; et al.
    In: Tran, K V H; Moustakas, J; Gonzalez, A H; Bai, L; Zaritsky, D; Kautsch, S J (2008). The late stellar assembly of massive cluster galaxies via major merging. Astrophysical Journal Letters, 683(1):L17-L20, 2008
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 72 öffnen
    Thermodynamic Analysis of Coherently Grown GaAsN/Ge: Effects of Different Gaseous Sources.
    Kawano, Jun ; Kangawa, Yoshihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 52 (2013-04-01), Heft 4R, S. 1-1
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Control of In Surface Segregation and Inter-Diffusion in GaAs on InGaP Grown by Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy.
    Fukushima, Yasuyuki ; Nakano, Takayuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 51 (2012-05-01), Heft 5R, S. 1-1
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 74 öffnen
    Effect of carbon tetrabromide on the morphology of GaAs nanowires.
    Salehzadeh, O ; S P Watkins
    In: Nanotechnology, Jg. 22 (2011-04-22), Heft 16, S. 165603-165603
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 75 öffnen
    Effects of Trimethylgallium Flow Rate on a-Plane GaN Growth on r-Plane Sapphire during One-Sidewall-Seeded Epitaxial Lateral Overgrowth.
    Hsu, Hsiao-Chiu ; Su, Yan-Kuin ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 4 (2011-03-01), Heft 3, S. 1-1
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 76 öffnen
    A major star formation region in the receding tip of the stellar galactic bar. II. Supplementary information and evidence that the bar is not the same structure as the triaxial bulge previously reported
    López Corredoira, Martín ; Garzón, F. ; et al.
    1999
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    N-type doping and morphology of GaAs nanowires in Aerotaxy
    Metaferia, Wondwosen ; Sivakumar, Sudhakar ; et al.
    In: Nanotechnology; 29(28), 2018
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    The effects of ZnO buffer layers on the properties of phosphorus doped ZnO thin films grown on sapphire by pulsed laser deposition.
    Kim, K-W ; Lugo, F. J. ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 45 (2012-11-14), Heft 45, S. 1-1
    Online academicJournal
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