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  1. Detailansicht für Treffer 21 öffnen
    Emission infrared spectroscopy for in situ analysis of the OMVPE growth surface.
    Mazzarese, D. ; Jones, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 329-333
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 22 öffnen
    Selective growth of GaAs and GaAlAs by Cl-assisted OMVPE at atmospheric pressure.
    Azoulay, R. ; Dugrand, L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 281-288
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 23 öffnen
    Dimethylarsine: Pyrolysis mechanisms and use for OMVPE growth.
    Li, S. ; Larsen, C. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 299-304
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    RHEED and XPS observations of trimethylgallium adsorption on GaAs (001) surfaces-Relevance to atomic layer epitaxy.
    Maa, B. ; Dapkus, P.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 19 (1990-04-01), Heft 4, S. 289-294
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 25 öffnen
    MOCVD epitaxial growth of single crystal GaN, AlN and AlGaN.
    Matloubian, M. ; Gershenzon, M.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985-09-01), Heft 5, S. 633-644
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 26 öffnen
    Investigations on low temperature mo-cvd growth of GaAs.
    Kräutle, H. ; Roehle, H. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 12 (1983), Heft 1, S. 215-222
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 27 öffnen
    An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium.
    Hess, K. ; Dapkus, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 11 (1982-11-01), Heft 6, S. 1115-1137
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 28 öffnen
    Low pressure and low temperature gallium arsenide homoepitaxy employing in-situ generated arsine.
    Pihlstrom, B. ; Sheng, T. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 277-279
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 29 öffnen
    Intentional ρ-type doping by carbon in metalorganic MBE of GaAs.
    Weyers, M. ; Pütz, N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-03-01), Heft 2, S. 57-59
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Vapor pressures of the adducts formed during AlGaN organometallic vapor-phase epitaxy.
    Creighton, J.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 31 (2002-12-01), Heft 12, S. 1337-1340
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Alternative boron precursors for BGaAs epitaxy.
    Geisz, J. ; Friedman, D. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1387-1391
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    In-situ monitoring of surface stoichiometry and growth kinetics study of GaN (0001) in MOVPE by spectroscopic ellipsometry.
    Taniyasu, Yoshitaka ; Yoshikawa, Akihiko
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-11-01), Heft 11, S. 1402-1407
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Study of optical and electrical properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Ramelan, A. ; Drozdowicz-Tomsia, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-08-01), Heft 8, S. 965-971
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Effects of substrate orientation and surface reconstruction on patterned substrate OMVPE of GaAs.
    Reichert, W. ; Cohen, R.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 118-128
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    High C-doping of MOVPE grown thin Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As layers for AlGaAs/GaAs interband tunneling devices.
    Dimroth, F. ; Schubert, U. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000), Heft 1, S. 47-52
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    Monitoring of MOCVD reactants by UV absorption.
    Baucom, K. ; Killeen, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1703-1706
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    InSb, GaSb, and GaInSb grown using trisdimethylaminoantimony.
    Shin, J. ; Hsu, Y. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1563-1569
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Basic studies of gallium nitride growth on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition and optical properties of deposited layers.
    Niebuhr, R. ; Bachem, K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 24 (1995-11-01), Heft 11, S. 1531-1534
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Dopant incorporation in GaAs and AlGaAs grown by MOMBE for high speed devices.
    Abernathy, C. ; Ren, F. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 21 (1992-03-01), Heft 3, S. 323-327
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Hall effect analysis of high purity p-type GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Kim, M. ; Bose, S. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 20 (1991-09-01), Heft 9, S. 671-679
    Online academicJournal
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