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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Properties of ‘bulk’ GaAsSbN/GaAs for multi-junction solar cell application: Reduction of carbon background concentration.
    Kim, T.W. ; Forghani, K. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 393 (2014-05-01), S. 70-74
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    HCl-assisted growth of GaN and AlN
    Fahle, D. ; Brien, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 370 (2013-05-01), S. 30-35
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD
    Liu, Yuemei ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, 2013-04-01, S. 92-96
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    Growth optimization toward low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using ammonia-based metal-organic molecular beam epitaxy
    Lin, Chia-Hung ; Abe, Ryota ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 352 (2012-08-01), Heft 1, S. 214-217
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    High throughput MOVPE and accelerated growth rate of GaAs for PV application.
    Ubukata, Akinori ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 509 (2019-03-01), S. 87-90
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 46 öffnen
    Understanding and controlling Ga contamination in InAlN barrier layers.
    Mrad, M. ; Charles, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 139-142
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Fabrication of submicron active-region-buried GaN hexagonal frustum structures by selective area growth for directional micro-LEDs.
    Kumagai, Naoto ; Takahashi, Tokio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 507 (2019-02-01), S. 437-441
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Control of GaAs nanowire morphology by group III precursor chemistry
    Salehzadeh, O. ; Watkins, S.P.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 325 (2011-06-15), Heft 1, S. 5-9
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Twin-free InGaAs thin layer on Si by multi-step growth using micro-channel selective-area MOVPE
    Deura, Momoko ; Kondo, Yoshiyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-04-01), Heft 8, S. 1353-1358
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Characterizations of GaN film growth by ECR plasma chemical vapor deposition
    Fu, Silie ; Chen, Junfang ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 311 (2009-06-01), Heft 12, S. 3325-3331
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 51 öffnen
    Al incorporation, structural and optical properties of Al <subscript>x</subscript> Ga<subscript>1−</subscript> <subscript>x</subscript> N (0.13⩽x⩽0.8) alloys grown by MOCVD
    Liu, B. ; Zhang, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-10-15), Heft 21, S. 4499-4502
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 52 öffnen
    Magnesium diffusion profile in GaN grown by MOVPE
    Benzarti, Z. ; Halidou, I. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-07-01), Heft 14, S. 3274-3277
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 53 öffnen
    Increased power from deep ultraviolet LEDs via precursor selection
    Moe, C. ; Onuma, T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 298 (2007), S. 710-713
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 54 öffnen
    Novel gas-switching sequence using group-III pre-flow (GIIIP) method for fabrication of InGaP on GaAs hetero-interface by MOVPE
    Nakano, T. ; Nakano, Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 179-185
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 55 öffnen
    Growth behavior of GaSb by metal–organic vapor-phase epitaxy
    Rathi, Manish K. ; Hawkins, Brian E. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 296 (2006-11-01), Heft 2, S. 117-128
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 56 öffnen
    Growth mechanism of atmospheric pressure MOVPE of GaN and its alloys: gas phase chemistry and its impact on reactor design
    Matsumoto, Koh ; Tachibana, Akitomo
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 360-369
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 57 öffnen
    In situ study of GaAs growth mechanisms using tri-methyl gallium and tri-ethyl gallium precursors in metal-organic vapour phase epitaxy
    Pristovsek, M. ; Zorn, M. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 262 (2004-02-15), Heft 1-4, S. 78-83
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  18. Detailansicht für Treffer 58 öffnen
    Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN from trimethylgallium and tertiarybutylhydrazine
    Hsu, Yu Jen ; Hong, Lu Sheng ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 252 (2003-05-01), Heft 1-3, S. 144-151
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 59 öffnen
    Self-catalyzed GaP nanowire MOVPE growth on Si.
    Krug, David ; Glowatzki, Johannes ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 609 (2023-05-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 60 öffnen
    Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD
    Sumiya, Masatomo ; Kurumasa, Youichi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 237-239 (2002-04-02), Heft 1-2, S. 1060-1064
    Online academicJournal
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