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    Strain in GaP Films Heteroepitaxially Grown on Si by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Kazuhiro Nakamura, Kazuhiro Nakamura ; Takashi Fuyuki, Takashi Fuyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-08-01), Heft 8, S. 4231-4231
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    Epitaxial Growth of GaN by Helicon Wave Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition Process
    Kim, Ki-Sung ; Kim, Seon-Hyo
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998-12-01), Heft 12, S. 6946-6946
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    New Developments of Less Toxic Group-V Precursors for the Metalorganic Vapour Phase Epitaxy of III-V-Semiconductors: In -Situ-Formation of As-H Functions by Thermal ?-Elimination of Specific As-Trialkyl Compounds
    Zimmermann, Gunnar ; Spika, Zeljko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-04-01), Heft 4, S. 2035-2035
    Online serialPeriodical
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    Influence of Metalorganic Sources on the Composition Uniformity of Selectively Grown GaXIn1-XP
    Chan, Shih-Hsiung ; Chun-Yen Chang, Chun-Yen Chang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-09-01), Heft 9, S. 4812-4812
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    Growth Processes of GaAs Grown by Atomic Layer Epitaxy Revealed by Atomic Force Microscopy
    Yokoyama, Haruki ; Tanimoto, Masafumi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-09-01), Heft 9, S. L1292
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    Lateral Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of GaAs on Patterned ()B Substrates
    Nomura, Yasuhiko ; Morishita, Yoshitaka ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-12-01), Heft 12, S. 3771-3771
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    Influence of H2Overpressure on the Properties of GaAs Grown by Low-Pressure MOCVD
    Mori, Hideki ; Takagishi, Shigenori
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-12-01), Heft 12, S. L877
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    OMVPE Growth and Characterization of GaInP on GaAs Using Tertiary Butylphosphine for the Phosphorous Source
    Takeda, Yoshikazu ; Araki, Soichiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-07-01), Heft 7, S. L1040
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    Phase Diagram of GaAs (111)B Surface during Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Measured by Surface Photo-Absorption
    Nishida, Toshio ; Uwai, Kunihiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-12-01), Heft 12, S. 6326-6326
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    Photodissociation of Trimethylindium and Trimethylgallium on GaAs at 193 nm Studied by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy
    Shogen, Satoshi ; Ohashi, Masafumi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-06-01), Heft 6, S. 3099-3099
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  13. Detailansicht für Treffer 73 öffnen
    Effect of Metal-Organic Composition Fluctuation on the Atmospheric-Pressure Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy Growth of GaAlAs/GaAs and GaInAs/InP Structures
    Ossart, Pierre ; Brasil, Maria J. S. P. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-05-01), Heft 5, S. L783
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    Phase Diagram for Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Strained and Unstrained InGaAsP/InP
    Kuphal, Eckart ; Pöcker, Armin
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 37 (1998), Heft 2, S. 632-632
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    Heavily Sn-doped n-Type InGaP Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
    Kazuhiro Nakamura, Kazuhiro Nakamura ; Takashi Fuyuki, Takashi Fuyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 36 (1997-12-01), Heft 12, S. 7158-7158
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    Metalorganic Molecular-Beam Epitaxial Growth and Characterization of GaAs Using Trimethyl- and Triethyl-Gallium Sources
    Tokumitsu, Eisuke ; Kudou, Yoshimitsu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 24 (1985-09-01), Heft 9, S. 1189-1189
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  17. Detailansicht für Treffer 77 öffnen
    Improved Threshold Voltage Uniformity in GaAs MESFET Using High Purity MOCVD-Grown Buffer Layer as a Substrate for Ion Implantation
    Sano, Yoshiaki ; Nakamura, Hiroshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-05-01), Heft 5, S. L290
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  18. Detailansicht für Treffer 78 öffnen
    Effect of Operating Pressure on the Properties of GaAs Grown by Low-Pressure MOCVD
    Takagishi, Shigenori ; Mori, Hideki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 22 (1983-12-01), Heft 12, S. L795
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  19. Detailansicht für Treffer 79 öffnen
    Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown on GaAs Substrates with Various Orientations by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
    Li-Qi Guo, Li-Qi Guo ; Makoto Konagai, Makoto Konagai
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), Heft 2, S. L195
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  20. Detailansicht für Treffer 80 öffnen
    InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with an Ultra-High Carbon-Doped Base (p=1.5×1021cm-3)
    Shirakashi, Jun-ichi ; Azuma, Toshiaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-02-01), Heft 2, S. 1204-1204
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