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    Temperature Dependence of the Reflected Trimethylgallium Flux Intensity from a GaAs Surface in Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy Measured by Mass Spectrometry
    Ohki, Yoshimasa ; Hiratani, Yuji
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-07-01), Heft 7, S. L1036
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    Reaction Mechanisms in the OMVPE Growth of GaAs and AlGaAs
    Mashita, Masao
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-05-01), Heft 5, S. 813-813
    Online serialPeriodical
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    Adsorption and Thermal or Photodecomposition of Triethylgallium and Trimethylgallium on Si(111)-7×7
    Fukui, Ken-ichi ; Mizutani, Wataru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-09-01), Heft 9, S. 4910-4910
    Online serialPeriodical
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  4. Detailansicht für Treffer 24 öffnen
    Carbon ?-Doping in GaAs by Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy
    Yamada, Takumi ; Shirahama, Masanori ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-08-01), Heft 8, S. L1123
    Online serialPeriodical
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    Direct Observation of Self-Limiting Gallium Deposition on GaAs during Laser-Atomic Layer Epitaxial Processing
    Simko, Jeffry P. ; Meguro, Takashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-11-01), Heft 11, S. L1518
    Online serialPeriodical
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    Pyrolysis of Trimethylgallium on (001) GaAs Surface Investigated by Surface Photo-Absorption
    Naoki Kobayashi, Naoki Kobayashi ; Yoshiji Horikoshi, Yoshiji Horikoshi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-03-01), Heft 3, S. L319
    Online serialPeriodical
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    UV Absorption Spectra of Adlayers of Trimethylgallium and Arsine
    Sasaki, Masahiro ; Kawakyu, Yoshito ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 28 (1989), Heft 1, S. L131
    Online serialPeriodical
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    Analysis of Influence of Alkyl Sources on Deep Levels in GaN by Transient Capacitance Method
    Chen, Jenn-Fang ; Chen, Nie-Chuan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-07-01), Heft 7, S. L810
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    Growth Characterization of Low-Temperature MOCVD GaN-Comparison between N2H4and NH3-
    Fujieda, Shinji ; Mizuta, Masashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 26 (1987-12-01), Heft 12, S. 2067-2067
    Online serialPeriodical
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  10. Detailansicht für Treffer 30 öffnen
    Diagnostics of Gas Reaction Using Trimethylgallium-AsH3and Triethylgallium-AsH3in Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy
    Horiguchi, Seishi ; Kimura, Kozo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 26 (1987-12-01), Heft 12, S. 2002-2002
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  11. Detailansicht für Treffer 31 öffnen
    Dependence of Deep Level Concentration on Nonstoichiometry in MOCVD GaAs
    Fujisaki, Yoshihisa ; Takano, Yukio ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 24 (1985-11-01), Heft 11, S. L899
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  12. Detailansicht für Treffer 32 öffnen
    Se Doping Mechanisms in MOCVD GaAs Layers
    Asai, Hiromitsu ; Sugiura, Hideo
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 24 (1985-10-01), Heft 10, S. L815
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  13. Detailansicht für Treffer 33 öffnen
    Epitaxial Growth of High-Purity GaAs by Low-Pressure MOCVD
    Takagishi, Shigenori ; Mori, Hideki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-02-01), Heft 2, S. L100
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  14. Detailansicht für Treffer 34 öffnen
    Deep Electron Traps in Undoped GaAs Grown by MOCVD
    Hashizume, Tamotsu ; Ikeda, Eiji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 23 (1984-05-01), Heft 5, S. L296
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  15. Detailansicht für Treffer 35 öffnen
    Comparison between Atmospheric and Reduced Pressure GaAs MOCVD
    Kobayashi, Naoki ; Fukui, Takashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 21 (1982-11-01), Heft 11, S. L705
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  16. Detailansicht für Treffer 36 öffnen
    A Comparison of the Growth of GaAs and GaP from Trimethyl-Gallium
    Weyers, Markus ; Michio Sato, Michio Sato
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-02-01), Heft 2, S. 434-434
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  17. Detailansicht für Treffer 37 öffnen
    In Situ Mass Spectrometric Analysis of Surface Chemistry in MOMBE Growth
    Sasaki, Masahiro ; Seikoh Yoshida, Seikoh Yoshida
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-02-01), Heft 2, S. 1113-1113
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  18. Detailansicht für Treffer 38 öffnen
    Effect of Hydrogen Radicals on the Reduction of Carbon Incorporation into GaAs Grown by Using Trimethylgallium
    Goto, Shigeo ; Nomura, Yasuhiko ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-07-01), Heft 7, S. 3825-3825
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  19. Detailansicht für Treffer 39 öffnen
    Scattering of Pulsed Trimethylgallium Beam from Clean and Oxidized GaAs Surfaces
    Masahiro Sasaki, Masahiro Sasaki ; Seikoh Yoshida, Seikoh Yoshida
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 33 (1994-06-01), Heft 6, S. L884
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  20. Detailansicht für Treffer 40 öffnen
    Pyrolysis of Trimethylgallium on GaAs Surfaces Observed by Pulse Surface Reaction Rate Analysis
    Hoshino, Masataka
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-10-01), Heft 10, S. L1741
    Online serialPeriodical
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