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  1. Detailansicht für Treffer 61 öffnen
    Effect of Operating Pressure on the Properties of GaAs Grown by Low-Pressure MOCVD
    Takagishi, Shigenori ; Mori, Hideki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 22 (1983-12-01), Heft 12, S. L795
    Online serialPeriodical
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    Heavily Carbon-Doped P-Type GaAs Grown on GaAs Substrates with Various Orientations by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
    Li-Qi Guo, Li-Qi Guo ; Makoto Konagai, Makoto Konagai
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 35 (1996-02-01), Heft 2, S. L195
    Online serialPeriodical
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  3. Detailansicht für Treffer 63 öffnen
    InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with an Ultra-High Carbon-Doped Base (p=1.5×1021cm-3)
    Shirakashi, Jun-ichi ; Azuma, Toshiaki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 34 (1995-02-01), Heft 2, S. 1204-1204
    Online serialPeriodical
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  4. Detailansicht für Treffer 64 öffnen
    Crystallinity of GaN Film Grown by ECR Plasma-Excited MOVPE
    Sato, Hirotsugu ; Sasaki, Toru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 29 (1990-09-01), Heft 9, S. 1654-1654
    Online serialPeriodical
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  5. Detailansicht für Treffer 65 öffnen
    Ultraviolet Light Irradiation Effects on Silicon Doping of GaAs Grown by the Triethylgallium-Arsine OMVPE Method
    Mashita, Masao
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 28 (1989-04-01), Heft 4, S. 690-690
    Online serialPeriodical
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  6. Detailansicht für Treffer 66 öffnen
    Characterization of Carbon-Doped GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy Using Neopentane as Carbon Source
    Shirahama, Masanori ; Nagao, Keisuke ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 32 (1993-12-01), Heft 12, S. 5473-5473
    Online serialPeriodical
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  7. Detailansicht für Treffer 67 öffnen
    Effects of the Growth Conditions on Deep Level Concentration in MOCVD GaAs
    Watanabe, Miyoko Oku ; Tanaka, Atsushi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981-06-01), Heft 6, S. L429
    Online serialPeriodical
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  8. Detailansicht für Treffer 68 öffnen
    Low Temperature Growth of GaN and AlN on GaAs Utilizing Metalorganics and Hydrazine
    Mizuta, Masashi ; Fujieda, Shinji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 25 (1986-12-01), Heft 12, S. L945
    Online serialPeriodical
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