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    Characterization and Optimization of Inverted-T FinFET Under Nanoscale Dimensions.
    Yu, Eunseon ; Heo, Keun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 3521-3527
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    Static Noise Margin of Ultrathin-Body SOI Subthreshold SRAM Cells--An Assessment Based on Analytical Solutions of Poisson's Equation.
    Vita Pi-Ho Hu ; Wu, Yu-Sheng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-09-01), Heft 9, S. 2120-2127
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    A Tight-Binding Study of the Ballistic Injection Velocity for Ultrathin-Body SOI MOSFETs.
    Liu, Yang ; Neophytou, Neophytos ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-03-01), Heft 3, S. 866-871
    Online academicJournal
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    Impact of Floating Body Effect, Back-Gate Traps, and Trap-Assisted Tunneling on Scaled In0.53Ga0.47As Ultrathin-Body MOSFETs and Mitigation Measures.
    Sant, Saurabh ; Aguirre, Paulina ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 2578-2584
    Online academicJournal
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    Evaluation of Mobility Degradation Factors and Performance Improvement of Ultrathin-Body Germanium-on-Insulator MOSFETs by GOI Thinning Using Plasma Oxidation.
    Yu, Xiao ; Kang, Jian ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-04-01), Heft 4, S. 1418-1425
    Online academicJournal
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    Deep-Depletion Effect in SOI Substrates and its Application in Photodetectors With Tunable Responsivity and Detection Range.
    Arsalan, M. ; Liu, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 3256-3262
    Online academicJournal
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    Systematic Modeling of Electrostatics, Transport, and Statistical Variability Effects of Interface Traps in End-of-the-Roadmap III–V MOSFETs.
    Zagni, Nicolo ; Caruso, Enrico ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1560-1566
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    On the MOSFET Threshold Voltage Extraction by Transconductance and Transconductance-to-Current Ratio Change Methods: Part II—Effect of Drain Voltage.
    Rudenko, Tamara ; Kilchytska, Valeriya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-12-01), Heft 12, S. 4180-4188
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    A Low-Field Mobility Model for Bulk and Ultrathin-Body SOI p-MOSFETs With Different Surface and Channel Orientations.
    Silvestri, Luca ; Reggiani, Susanna ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 57 (2010-12-01), Heft 12, S. 3287-3294
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    Analog/RF Performance of Multichannel SOI MOSFET.
    Lim, Tao Chuan ; Bernard, Emilie ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 56 (2009-07-01), Heft 7, S. 1473-1482
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    Influence of Block Oxide Width on a Silicon-on-Partial-Insulator Field-Effect Transistor.
    Lin, Jyi-Tsong ; Eng, Yi-Chuen
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-11-01), Heft 11, S. 2893-2900
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    Design Optimization and Performance Projections of Double-Gate FinFETs With Gate—Source/Drain Underlap for SRAM Application.
    Kim, Seung-Hwan ; Fossum, Jerry G.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-08-01), Heft 8, S. 1934-1942
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