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  1. Detailansicht für Treffer 41 öffnen
    Atomic layer epitaxy of device quality GaAs.
    Colas, E. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 55 (1989-12-25), Heft 26, S. 2769-2771
    Online academicJournal
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  2. Detailansicht für Treffer 42 öffnen
    Heavy carbon doping of metalorganic chemical vapor deposition grown GaAs using carbon tetrachloride.
    Cunningham, B. T. ; Haase, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 54 (1989-05-08), Heft 19, S. 1905-1907
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 43 öffnen
    Use of tertiarybutylarsine for GaAs growth.
    Chen, C. H. ; Larsen, C. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 50 (1987-01-26), Heft 4, S. 218-220
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 44 öffnen
    GaInAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy.
    Cherng, M. J. ; Stringfellow, G. B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 48 (1986-02-10), Heft 6, S. 419-421
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 45 öffnen
    Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of high purity GaInAs on InP.
    Carey, Kent W.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 46 (1985), Heft 1, S. 89-91
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Organometallic vapor phase epitaxial growth of high purity GaInAs using trimethylindium.
    Kuo, C. P. ; Yuan, J. S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-03-01), Heft 5, S. 550-552
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 47 öffnen
    Electronic passivation of silicon surfaces by thin films of atomic layer deposited gallium oxide
    Allen, T. G. ; Cuevas, A.
    In: Applied Physics Letters, 2015
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 48 öffnen
    Optical properties of very narrow GaInAs/InP quantum wells grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy.
    Grützmacher, D. ; Wolter, K. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 52 (1988-03-14), Heft 11, S. 872-873
    Online academicJournal
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  9. Detailansicht für Treffer 49 öffnen
    Effect of Mg interlayer on perpendicular magnetic anisotropy of CoFeB films in MgO/Mg/CoFeB/Ta structure.
    Ma, Q. L. ; Iihama, S. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-09-17), Heft 12, S. 122414-122414
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 50 öffnen
    Detection of the valence band in buried Co 2 MnSi-MgO tunnel junctions by means of photoemission spectroscopy
    Fecher, G. ; Balke, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, 2008
    Online academicJournal
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