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    DFT-based investigation of different properties for transition metal-doped germanium TMGen (TM = Ru, Rh; n = 1–20) clusters
    Benaida, Meriem ; Aiadi, Kamal Eddine ; et al.
    In: Journal of Molecular Modeling ; volume 26, issue 12 ; ISSN 1610-2940 0948-5023, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 468, page 950-953 ; ISSN 0022-0248, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 434, page 116-122 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 452, page 226-229 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structurally Characterized 1,1,3,3-Tetramethylguanidine Solvated Magnesium Aryloxide Complexes: [Mg(μ-OEt)(DBP)(H-TMG)] 2 , [Mg(μ-OBc)(DBP)(H-TMG)] 2 , [Mg(μ-TMBA)(DBP)(H-TMG)] 2 , [Mg(μ-DPP)(DBP)(H-TMG)] 2 , [Mg(BMP) 2 (H-TMG) 2 ], [Mg(O-2,6-Ph 2 C 6 H 3 ) 2 (H-TMG) 2 ]
    Monegan, Jessie D. ; Bunge, Scott D.
    In: Inorganic Chemistry ; volume 48, issue 7, page 3248-3256 ; ISSN 0020-1669 1520-510X, 2009
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 289, issue 2, page 428-432 ; ISSN 0022-0248, 2006
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deposition of GaN films on (111) Si substrates by alternate supply of TMG and NH3
    Gong, Jyh-Rong ; Yeh, Ming-Fa ; et al.
    In: Optical Materials ; volume 24, issue 4, page 615-619 ; ISSN 0925-3467, 2004
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 200, issue 1-2, page 63-69 ; ISSN 0022-0248, 1999
    academicJournal
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    Preparation of GaN film of low carrier density by the HWE system with Ga and TMG sources
    Chu, Shucheng ; Fujimura, Kazuo ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 189-190, page 340-343 ; ISSN 0022-0248, 1998
    academicJournal
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    Investigations on the compositional non-uniformity of selectively grown GaxIn1−xP by LP-MOCVD using EDMI, TMI, TEG, and TMG as group III sources
    Chan, Shih-Hsiung ; Chang, Chun-Yen ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 145, issue 1-4, page 978-980 ; ISSN 0022-0248, 1994
    academicJournal
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    Selective organometallic vapor phase epitaxy of Ga and In compounds: a comparison of TMIn and TEGa versus TMIn and TMGa
    Caneau, C. ; Bhat, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 132, issue 3-4, page 364-370 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
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    Growth kinetics and critical temperature measurements in MOMBE growth of GaAs with TMGa by RHEED
    Kaneko, T. ; Naji, O. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 127, issue 1-4, page 1059-1063 ; ISSN 0022-0248, 1993
    academicJournal
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    Selective area growth of GaAs and AlGaAs with TMGa, TMAl, AsH3 and HCl by atmospheric pressure MOVPE
    Korte, L. ; Thanner, Chr. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 124, issue 1-4, page 220-226 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of carbon-doped base GaAs/AlGaAs HBT by gas-source MBE using TEG, TEA, TMG, AsH3, and Si2H6
    Ando, Hideyasu ; Fujii, Toshio ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 228-233 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    RHEED studies of MOMBE growth using TMGa or TEGa with As2
    Lacklison, D.E. ; Foxon, C.T. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 120, issue 1-4, page 50-56 ; ISSN 0022-0248, 1992
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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