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    New approach of Nano-Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE
    Martin, J. ; Martinez, A. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 147 (2008-02-15), Heft 2/3, S. 114-117
    Online academicJournal
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    Amorphous gallium oxide nanowires synthesized by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, Nam Ho ; Kim, Hyoun Woo ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 111 (2004-08-25), Heft 2/3, S. 131-134
    Online academicJournal
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    Growth of gallium oxide thin films on silicon by the metal organic chemical vapor deposition method
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 110 (2004-06-25), Heft 1, S. 34-37
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Influence of AlN/GaN strained multi-layers on the threading dislocations in GaN films grown by alternate supply of metalorganics and NH<subscript>3</subscript>
    Gong, Jyh-Rong ; Yeh, Cheng-Long ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 94 (2002-06-25), Heft 2/3, S. 155-158
    Online academicJournal
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