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    Magnetic anisotropy and associated entropy change in textured TmGa
    Bae, J.H. ; Cho, K.K. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds ; volume 988, page 174253 ; ISSN 0925-8388, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-throughput thermodynamic analysis of epitaxial growth of β-Ga2O3 by the chemical vapor deposition method from TMGa-H2O system
    Zhang, Chitengfei ; Lu, Pengjian ; et al.
    In: Materials Today Communications ; volume 38, page 108054 ; ISSN 2352-4928, 2024
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Crosslinking of waterborne polyurethane using dibromide as a crosslinker and 1,1,3,3-tetramethylguanidine (TMG) as an esterification promotor
    Kai, Zheng ; Shan, Pengfei ; et al.
    In: Progress in Organic Coatings ; volume 181, page 107578 ; ISSN 0300-9440, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of In or Ge substitution on magnetic ordering in TmGa(In/Ge) compounds
    Yang, S.X. ; Zheng, X.Q. ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds ; volume 897, page 163236 ; ISSN 0925-8388, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved crystalline quality of AlN epitaxial layer on sapphire by introducing TMGa pulse flow into the nucleation stage
    Wu, Hualong ; Wang, Hailong ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 490, page 56-60 ; ISSN 0022-0248, 2018
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First-principles and thermodynamic analysis of trimethylgallium (TMG) decomposition during MOVPE growth of GaN
    Sekiguchi, K. ; Shirakawa, H. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 468, page 950-953 ; ISSN 0022-0248, 2017
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CBr4-based in-situ etching of GaAs, assisted with TMAl and TMGa
    Della Casa, Pietro ; Maaßdorf, Andre ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 434, page 116-122 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of TMGa output of on-board cylinders for chemical vapor deposition
    Woelk, E. ; DiCarlo, R.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 452, page 226-229 ; ISSN 0022-0248, 2016
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of GaN by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) in the downflow of a very high frequency (VHF) N2/H2 excited plasma – effect of TMG flow rate and VHF power
    Lu, Yi ; Kondo, Hiroki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 391, page 97-103 ; ISSN 0022-0248, 2014
    academicJournal
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    Force Field of the TMGL Ionic Liquid and the Solubility of SO 2 and CO 2 in the TMGL from Molecular Dynamics Simulation
    Wang, Yong ; Pan, Haihua ; et al.
    In: The Journal of Physical Chemistry B ; volume 111, issue 35, page 10461-10467 ; ISSN 1520-6106 1520-5207, 2007
    academicJournal
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    Magnetic properties and magnetocaloric effect in TmGa and HoGa single crystals
    Gao, Tian ; Nishimura, Katsuhiko ; et al.
    In: Solid State Communications ; volume 158, page 1-4 ; ISSN 0038-1098, 2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of AlInGaN barrier layers with various TMGa flows on optoelectronic characteristics of near UV light-emitting diodes grown by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy
    Fu, Yi-Keng ; Lu, Yu-Hsuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 62, issue 1, page 142-145 ; ISSN 0038-1101, 2011
    academicJournal
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    Mesostructured thin films deposited by PECVD from TMGe
    Kazimierski, P.
    In: Thin Solid Films ; volume 495, issue 1-2, page 144-148 ; ISSN 0040-6090, 2006
    academicJournal
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    Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
    Hirako, Akira ; Ohkawa, Kazuhiro
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 289, issue 2, page 428-432 ; ISSN 0022-0248, 2006
    academicJournal
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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 260, issue 3-4, page 388-393 ; ISSN 0022-0248, 2004
    academicJournal
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    Controlled intrinsic carbon doping in MOVPE-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs
    Longo, M. ; Magnanini, R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 248, page 119-123 ; ISSN 0022-0248, 2003
    academicJournal
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    A comparison of TMG with TEG for the growth of InxGa1−xAs
    Glew, Richard William ; Grim-Bogdan, Karen ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 29, issue 1, page 146-150 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2000
    academicJournal
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    GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
    Arai, T ; Tobita, H ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 221, issue 1-4, page 212-219 ; ISSN 0022-0248, 2000
    academicJournal
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    Orthorhombic TmGe≈1.9, with a ZrSi2–ErGe1.83 intergrowth structure
    Venturini, G.
    In: Journal of Alloys and Compounds ; volume 308, issue 1-2, page 200-204 ; ISSN 0925-8388, 2000
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    High quality GaN film growth on AlN buffer layer, pretreated with alternating pulsative supply of TMG and NH3
    Hwang, Jin Soo ; Tanaka, Satoru ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth ; volume 200, issue 1-2, page 63-69 ; ISSN 0022-0248, 1999
    academicJournal
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