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    Simulation Of ULSI Silicon MOSFETs
    Pinto, M.R. ; Bude, J. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 22-25
    Online Konferenz
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    Consistent Quantitative Models For The Coupled Diffusion Of Dopants And Point Defects In Silicon
    Dunham, S.T.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 46-49
    Online Konferenz
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    Mechanical Stress Design System For Semiconductor Devices
    Miura, H. ; Saito, N. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 60-63
    Online Konferenz
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    A high-speed variable phase accumulator for an ADPLL architecture
    Xu, Liangge ; Lindfors, Saska
    In: 2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2008-05-01, S. 1736
    Online Konferenz
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    Enhanced rat sciatic nerve regeneration through silicon tubes implanted with valproic acid.
    Wu, F ; Xing, D ; et al.
    In: Journal of reconstructive microsurgery, Jg. 24 (2008-05-01), Heft 4, S. 267
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A New Hydrodynamic Model For High Energy Tail Electrons
    Ahn, Jae-gyung ; Park, Young-june ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 28-29
    Online Konferenz
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    Adjustable Parameter Free Monte Carlo Siniulation For Electron Transport In Silicon Including Full Band Structure
    Kunikiyo, T. ; Kamakura, Y. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 40-41
    Online Konferenz
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    A Physics-based Model For Transient Diffusion Of Dopants In Si
    Cowern, N.E.B.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 50-51
    Online Konferenz
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    An Efficient Impact Ionization Model For Silicon Monte Carlo Simulation
    Yao, C. S. ; Chen, D. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 42-43
    Online Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis Of Mechanical Stress Associated With Trench Isolation Using A Two-dimensional Simulation
    Matsuda, S. ; Itoh, N. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 64-65
    Online Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Effects Of Nitride Viscosity On The Stress Distribution In LOCOS Structure
    Kuroda, S. ; Okihara, M. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 90-91
    Online Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Two-dimensional Modeling Of Self-aligned Silicide Process With A General-purpose Process Simulater OPUS
    Kai, K. ; Kuroda, S. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 66-67
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    2D Process Simulation With Accurate Dopant And Stress Profiles Calculations
    Collard, D. ; Senez, V. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 92-93
    Online Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Two-dimensional Process Model For Silicide Growth
    Li, C.M. ; Crandle, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 68-69
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    Monte Carlo Analysis Of Hot Carrier Effects In Ultra Small Geometry MOSFETs
    Fiegna, C. ; Iwai, H. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 102-103
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    An Analytical Delayed-turn-on Model For Accumulation-type Ultra-thin SOI PMOS Devices Operating At 77K
    Sim, J.H. ; Kuo, J.B.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 132-133
    Online Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Unified Set Of Models For Minority Carrier Transport Parameters In Heavily Doped Monosilicon And Polysilicon
    Johnson, M. ; Strojwas, A.J. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 178-179
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analytical Surface Potential Expression For Double-gate SOI MOSFETs
    Suzuki, K. ; Tanaka, T. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 150-151
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Study Of Injection Conditions In The Substrate Hot Electron Induced Degradation Of n-MOSFETs
    Selmi, L. ; Fiegna, C. ; et al.
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 156-157
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A Non-local Formulation Of Impact Ionization For Silicon
    Scrobohaci, P. ; Tang, Ting-wei
    In: [Proceedings] 1993 International Workshop on VLSI Process and Device Modeling (1993 VPAD), 1993, S. 172-173
    Online Konferenz
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