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    A study of microstructural evolution in gas tungsten arc welded Al<subscript>x</subscript>CoCrFeNi high entropy alloys
    Sourav, Ayush ; Gowtam, D. S. ; et al.
    In: Welding in the World: The International Journal of Materials Joining, Jg. 67 (2023-09-01), Heft 9, S. 2163-2174
    Online academicJournal
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    Al Incorporation up to 99% in Metalorganic Chemical Vapor Deposition‐Grown Monoclinic (Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1–x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Films Using Trimethylgallium.
    Bhuiyan, A F M Anhar Uddin ; Meng, Lingyu ; et al.
    In: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, Jg. 17 (2023-10-01), Heft 10, S. 1-16
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Oxygen uptake during the MBE growth of AlxGa1−xAs epitaxial layers
    RahmanOthman, A. A. ; Usher, B. F. ; et al.
    In: 2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE), 2012-09-01, S. 694-698
    Online Konferenz
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    academicJournal
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    The size dependence and defect induced room temperature ferromagnetism of ZnO and Zn 1-x-y AlxZyO (Z=Mg/Ni) nanocomposites.
    Anithadevi, R. ; Kalpana, J. ; et al.
    In: Journal of Ovonic Research, Jg. 19 (2023-09-01), Heft 5, S. 493-503
    academicJournal
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    Determination of the ion erosion rate during the SIMS analysis on AlxGa1−xAs as a function of x using HRXRD
    Koudriavtseva, O. ; Kudriavtsev, Y. ; et al.
    In: 2012 8th International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems (ICCDCS), 2012-03-01, S. 1-3
    Online Konferenz
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    STRUCTURAL AND MICROESTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF Al<subscript>X</subscript>Ti<subscript>3-X</subscript> TITANIUM - BASE ALUMINIUM ALLOYS.
    PENTÓN-MADRIGAL, A. ; DOS SANTOS-BRANCO, A. ; et al.
    In: Revista Cubana de Física, Jg. 39 (2022-07-01), Heft 1, S. 37-43
    Online academicJournal
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    The Energy Band Gap of AlxGa1-xN Thin Films as a Function of Al-Mole Fraction
    Ng, S. S. ; Yam, F. K. ; et al.
    In: 2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics, 2006-11-01, S. 933
    Online Konferenz
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    Bandgap Tailoring of Monoclinic Single‐Phase β‐(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>)<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> (0 ≤ x ≤ 0.65) Thin Film by Annealing β‐Ga<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript>/Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> Heterojunction at High Temperatures
    Li, Zhengcheng ; Wu, Ying ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-05-15), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    nnInterdiffusion in amorphous Al<subscript>x</subscript>Zr<subscript>1-x</subscript> alloys.
    Noah, Martin A. ; Wang, Zumin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 121 (2017-01-07), Heft 1, S. 1-13
    Online academicJournal
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    Structural and electronic properties of Fe(Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>)3 system.
    Mondal, Debashis ; Kamal, C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-28), Heft 16, S. 165102-1- (6S.)
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    academicJournal
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    Al<subscript>x</subscript>Ga1−xN GROWTH BY Si/N TREATMENT OF SAPPHIRE SUBSTRATE: COMPARISON WITH OTHERS GROWTH TECHNIQUES.
    HALIDOU, I. ; TOURÉ, A. ; et al.
    In: Surface Review & Letters, Jg. 27 (2020-03-01), Heft 03, S. N.PAG- (8S.)
    academicJournal
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    Phase stability of the AlxCrFeCoNi alloy system ...
    Bloomfield, ME ; Christofidou, KA ; et al.
    2022
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    Impact of implantation geometry and fluence on structural properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N implanted with thulium.
    Fialho, M. ; Magalhães, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-28), Heft 16, S. 165703-1- (8S.)
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    Band gap bowing parameter in pseudomorphic Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN high electron mobility transistor structures.
    Goyal, Anshu ; Kapoor, Ashok K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-06-14), Heft 22, S. 225702-1- (6S.)
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