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    Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
    Liu, J.P. ; Zhang, B.S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-09), Heft 3/4, S. 388-393
    Online academicJournal
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    Heteroepitaxial growth of α-, β-, γ- and κ-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy.
    Gottschalch, Volker ; Merker, Stefan ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 510 (2019-03-15), S. 76-84
    Online academicJournal
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    Fast growth rate of epitaxial β–Ga2O3 by close coupled showerhead MOCVD.
    Alema, Fikadu ; Hertog, Brian ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 475 (2017-10-01), S. 77-82
    Online academicJournal
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    Tetramethylguanidine-templated synthesis of aluminophosphate-based microporous crystals with AFI-type structure
    Wang, Jingyuan ; Song, Jiangwei ; et al.
    In: Microporous & Mesoporous Materials, Jg. 117 (2009-01-15), Heft 3, S. 561-569
    Online academicJournal
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    Cocrystals of Kemp’s triacid. Part III: Structure of hydrogen-bonded complex of Kemp’s triacid with 1,1,3,3-tetramethylguanidine studied by X-ray and FT-IR methods
    Huczyński, Adam ; Ratajczak-Sitarz, Małgorzata ; et al.
    In: Journal of Molecular Structure, Jg. 892 (2008-12-15), Heft 1-3, S. 414-419
    Online academicJournal
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    Low-temperature MOVPE using TEGa for suppressed layer undulation in InxGa1−xAs/GaAs1−yPy superlattice on vicinal substrates.
    Fujii, Hiromasa ; Sodabanlu, Hassanet ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 414 (2015-03-15), S. 3-9
    Online academicJournal
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    Bidentate guanidine ligands with ethylene spacer in copper-dioxygen chemistry: Structural characterization of bis(μ-hydroxo) dicopper complexes
    Haase, Roxana ; Beschnitt, Tanja ; et al.
    In: Inorganica Chimica Acta, Jg. 374 (2011-08-01), Heft 1, S. 546-557
    Online academicJournal
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    Structural characterization and catalytic properties of bis(1,1,3,3-tetramethylguanidinium) dichromate
    Due-Hansen, Johannes ; Ståhl, Kenny ; et al.
    In: Polyhedron, Jg. 30 (2011-03-24), Heft 5, S. 785-789
    Online academicJournal
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    X-ray, spectroscopic and antibacterial activity studies of the 1:1 complex of lasalocid acid with 1,1,3,3-tetramethylguanidine
    Huczyński, Adam ; Janczak, Jan ; et al.
    In: Journal of Molecular Structure, Jg. 977 (2010-08-10), Heft 1-3, S. 51-55
    Online academicJournal
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    GaN buffer layer growth by MOCVD using a thermodynamic non-equilibrium model
    Guarneros, C. ; Sánchez, V.
    In: Vacuum, Jg. 84 (2010-05-19), Heft 10, S. 1187-1190
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Synthesis and properties of guanidine-pyridine hybridligands and structural characterisation of their mono- and bis(chelated) cobalt complexes
    Hoffmann, Alexander ; Börner, Janna ; et al.
    In: Inorganica Chimica Acta, Jg. 362 (2009-03-02), Heft 4, S. 1185-1193
    Online academicJournal
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    Low temperature synthesis of GaN films on ITO substrates by ECR-PEMOCVD
    Zhao, Yue ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 92 (2013-06-01), S. 77-80
    Online academicJournal
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    Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Diamond & Related Materials, Jg. 21 (2012), S. 88-91
    Online academicJournal
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    Highly c-axis oriented GaN films grown on free-standing diamond substrates for high-power devices
    Zhang, D. ; Bian, J.M. ; et al.
    In: Materials Research Bulletin, Jg. 46 (2011-10-01), Heft 10, S. 1582-1585
    Online academicJournal
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    Influence of N<subscript>2</subscript> flux on the improvement of highly c-oriented GaN films on diamond substrates
    Zhang, Dong ; Qin, Fuwen ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 85 (2011-01-21), Heft 7, S. 725-729
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    Studies on the effect of ammonia flow rate induced defects in gallium nitride grown by MOCVD
    Suresh, S. ; Lourdudoss, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 312 (2010-10-15), Heft 21, S. 3151-3155
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    AP-MOVPE of InGaAs on GaAs (001): Analysis of in situ reflectivity response
    Habchi, M.M. ; Rebey, A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 39 (2008-12-01), Heft 12, S. 1587-1593
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    High-quality a-plane GaN grown with flow-rate modulation epitaxy on r-plane sapphire substrate
    Huang, Jeng-Jie ; Tang, Tsung-Yi ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 310 (2008-05-15), Heft 11, S. 2712-2716
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of Ga- and Sb-precursor chemistry on the alloy composition in pseudomorphically strained GaAs<subscript>1−</subscript> <subscript>y</subscript> Sb <subscript>y</subscript> films grown via metalorganic vapor phase epitaxy
    Khandekar, A.A. ; Yeh, J.Y. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 303 (2007-05-15), Heft 2, S. 456-465
    Online academicJournal
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