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    A development of the LED TMGa precursor reuse technology
    Yoon, Jae-sik ; Yang, Jae-yeol ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 93 (2013-02-15), S. 153-156
    Online academicJournal
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    Source Materials and Methods for Gallium Ion Implantation
    Tang, Ying ; Yedave, Sharad ; et al.
    In: 2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2018-09-01, S. 215-218
    Online Konferenz
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    Effect of substrate temperature and Ga source precursor on growth and material properties of GaN grown by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
    Haider, A. ; Kizir, S. ; et al.
    In: 2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2016 - Conference Proceedings, 2016
    Online Konferenz
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    Comparison of trimethylgallium and triethylgallium as 'ga' source materials for the growth of ultrathin GaN films on Si (100) substrates via hollow-cathode plasma-assisted atomic layer deposition
    Alevli, M. ; Haider, A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2016
    Online academicJournal
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    Atomic layer deposition of GaN at low temperatures
    Ozgit, C. ; Donmez, I. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 2012
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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