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    Influence of ultrathin AlN interlayer on the microstructure and the electrical transport properties of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN heterostructures.
    Song, J. ; Xu, F. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 106 (2009-10-15), Heft 8, S. 83711-83715
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    Microstructural properties and atomic arrangements in GaN/sapphire and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/AlN/GaN/sapphire heterostructures.
    Kim, T. W. ; Lee, D. U. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7118-7121
    Online academicJournal
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    Defect structure and intermixing of ion-implanted AlxGa1-xAs/GaAs superlattices.
    Ralston, J. ; Wicks, G. W. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 59 (1986), Heft 1, S. 120-123
    Online academicJournal
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    Transmission electron microscope observation of lattice image of AlxGa1-xAs-AlyGa1-yAs superlattices with high contrast.
    Suzuki, Yoshifumi ; Okamoto, Hiroshi
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 58 (1985-11-01), Heft 9, S. 3456-3462
    Online academicJournal
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    Spontaneous compositional superlattice and band-gap reduction in Si-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N epilayers.
    Gao, M. ; Lin, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 87 (2005-11-07), Heft 19, S. 191906-191908
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    Observation of Natural Superlattice in Al<subscript>X</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
    Pradhan, A. ; Maitra, T. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1728 (2016-05-08), Heft 1, S. 20243-1- (6S.)
    Online Konferenz
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    Layer interdiffusion in Se-doped AlxGa1-xAs-GaAs superlattices.
    Deppe, D. G. ; Holonyak, N. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 51 (1987-08-24), Heft 8, S. 581-583
    Online academicJournal
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    Impurity-induced disordering of single well AlxGa1-xAs-GaAs quantum well heterostructures.
    Meehan, K. ; Brown, J. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 44 (1984-02-15), Heft 4, S. 428-430
    Online academicJournal
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    Study of thermal stability of spontaneously grown superlattice structures by metalorganic vapor phase epitaxy in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As/GaAs heterostructure.
    Pradhan, A. ; Maitra, T. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1942 (2018-03-22), Heft 1, S. 1
    Online Konferenz
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    Compositional modulation and optical emission in AlGaN epitaxial films.
    Gao, Min ; Bradley, S. T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-11-15), Heft 10, S. 103512-103523
    Online academicJournal
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    Misfit dislocation formation in the AlGaN/GaN heterointerface.
    Floro, J. A. ; Follstaedt, D. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-12-15), Heft 12, S. 7087-7094
    Online academicJournal
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    Compositional accuracy in atom probe tomography analyses performed on III-N light emitting diodes
    Di Russo, Enrico ; Cherkashin, Nikolay ; et al.
    In: ISSN: 0021-8979, 2019
    academicJournal
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