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    Challenges in atomic layer etching of gallium nitride using surface oxidation and ligand-exchange.
    Messina, Daniel C. ; Hatch, Kevin A. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 41 (2023-03-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Atomic layer deposition of GaN at low temperatures.
    Ozgit, Cagla ; Donmez, Inci ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 30 (2012), Heft 1, S. 1A124- (4S.)
    Online academicJournal
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    Influence of AlN/GaN strained multi-layers on the threading dislocations in GaN films grown by alternate supply of metalorganics and NH<subscript>3</subscript>
    Gong, Jyh-Rong ; Yeh, Cheng-Long ; et al.
    In: Materials Science & Engineering: B, Jg. 94 (2002-06-25), Heft 2/3, S. 155-158
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Low-temperature self-limiting growth of III-nitride thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
    Biyikli, N. ; Ozgit, C. ; et al.
    In: Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2012
    Online academicJournal
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